规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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Vishay Dale
RES SMD 4.3K OHM 5% 0.8W 2010
详细描述：±5% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B4K30RT5
仓库库存编号：
M55342H08B4K30RT5-ND
别名：M55342H08B4K30RT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKC10M0
仓库库存编号：
HVCB2010JKC10M0-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FKL2M21-ND
别名：HVCB 2010 T0 2.21M 1% I
HVCB2010T02.21M1%I
HVCB2010T02.21M1%I-ND
HVCB2010T02.21MFI
HVCB2010T02.21MFI-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL500K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 1% I
HVCB2010T0500K1%I
HVCB2010T0500K1%I-ND
HVCB2010T0500KFI
HVCB2010T0500KFI-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FTD2M21-ND
别名：HVCB 2010 T1 2.21M 1% R
HVCB2010T12.21M1%R
HVCB2010T12.21M1%R-ND
HVCB2010T12.21MFR
HVCB2010T12.21MFR-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD500K
仓库库存编号：
HVCB2010FTD500K-ND
别名：HVCB 2010 T1 500K 1% R
HVCB2010T1500K1%R
HVCB2010T1500K1%R-ND
HVCB2010T1500KFR
HVCB2010T1500KFR-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD249K
仓库库存编号：
HVCB2010FTD249K-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTD2M00
仓库库存编号：
HVCB2010FTD2M00-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL249K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL249K-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 301K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL301K
仓库库存编号：
HVCB2010FKL301K-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2010FKL10M0-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1G OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL1G00
仓库库存编号：
HVCB2010JKL1G00-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Vishay Dale
RES SMD 1K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B1E00RT5
仓库库存编号：
M55342H08B1E00RT5-ND
别名：M55342H08B1E00RT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 1.21K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B1E21RT5
仓库库存编号：
M55342H08B1E21RT5-ND
别名：M55342H08B1E21RT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 221 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B221DRT5
仓库库存编号：
M55342H08B221DRT5-ND
别名：M55342H08B221DRT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 22.1 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B22D1RT5
仓库库存编号：
M55342H08B22D1RT5-ND
别名：M55342H08B22D1RT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 301 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B301DRT5
仓库库存编号：
M55342H08B301DRT5-ND
别名：M55342H08B301DRT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 392 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B392DRT5
仓库库存编号：
M55342H08B392DRT5-ND
别名：M55342H08B392DRT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 40.2K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B40E2RT5
仓库库存编号：
M55342H08B40E2RT5-ND
别名：M55342H08B40E2RT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 475 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B475DRT5
仓库库存编号：
M55342H08B475DRT5-ND
别名：M55342H08B475DRT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 49.9 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B49D9RT5
仓库库存编号：
M55342H08B49D9RT5-ND
别名：M55342H08B49D9RT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 4.75K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B4E75RT5
仓库库存编号：
M55342H08B4E75RT5-ND
别名：M55342H08B4E75RT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 100 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K08B100DPT5V
仓库库存编号：
M55342K08B100DPT5V-ND
别名：M55342K08B100DPT5V-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 100 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K08B100DRT5V
仓库库存编号：
M55342K08B100DRT5V-ND
别名：M55342K08B100DRT5V-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 1K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K08B1E00RT5V
仓库库存编号：
M55342K08B1E00RT5V-ND
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规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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