规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(19446)
电容器
(3)
电阻器
(19443)
筛选品牌
AVX Corp/Kyocera Corp(4)
AVX Corporation(1)
Bourns Inc.(312)
CTS Electrocomponents(45)
CTS Resistor Products(10)
CTS Thermal Management Products(2)
CTS-Frequency Controls(1)
KEMET(1)
Kionix Inc.(317)
Ohmite(62)
Panasonic - ATG(214)
Panasonic - BSG(71)
Panasonic - DTG(24)
Panasonic Electric Works(18)
Panasonic Electronic Components(311)
Panasonic Industrial Automation Sales(606)
Rohm Semiconductor(181)
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.(8)
Stackpole Electronics Inc.(6844)
TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine(45)
TE Connectivity ALCOSWITCH Switches(16)
TE Connectivity AMP Connectors(9)
TE Connectivity Corcom Filters(1)
TE Connectivity Deutsch Connectors(1)
TE Connectivity Passive Product(1044)
TE Connectivity Potter & Brumfield Relays(13)
TT Electronics/BI(9)
TT Electronics/BI Magnetics(1)
TT Electronics/Welwyn(24)
Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components(32)
Vishay BC Components(4)
Vishay Beyschlag(1)
Vishay Dale(5013)
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)(572)
Vishay Sfernice(1)
Yageo(3628)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Ohmite
RES SMD 30 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR030FE
仓库库存编号：
RW0S6BBR030FE-ND
别名：OHRW0S6BBR030FE
OHRW0S6BBR030FE-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Ohmite
RES SMD 50 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR050FE
仓库库存编号：
RW0S6BBR050FE-ND
别名：OHRW0S6BBR050FE
OHRW0S6BBR050FE-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Ohmite
RES SMD 75 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR075FE
仓库库存编号：
RW0S6BBR075FE-ND
别名：OHRW0S6BBR075FE
OHRW0S6BBR075FE-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Ohmite
RES SMD 100 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR100FE
仓库库存编号：
RW0S6BBR100FE-ND
别名：OHRW0S6BBR100FE
OHRW0S6BBR100FE-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Ohmite
RES SMD 240 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR240FE
仓库库存编号：
RW0S6BBR240FE-ND
别名：OHRW0S6BBR240FE
OHRW0S6BBR240FE-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Ohmite
RES SMD 470 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR470FE
仓库库存编号：
RW0S6BBR470FE-ND
别名：OHRW0S6BBR470FE
OHRW0S6BBR470FE-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Ohmite
RES SMD 750 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR750FE
仓库库存编号：
RW0S6BBR750FE-ND
别名：OHRW0S6BBR750FE
OHRW0S6BBR750FE-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL10M0
仓库库存编号：
HVCB2010JKL10M0-ND
别名：HVCB 2010 T0 10M 5% I
HVCB2010T010M5%I
HVCB2010T010M5%I-ND
HVCB2010T010MJI
HVCB2010T010MJI-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 150K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL150K
仓库库存编号：
HVCB2010JKL150K-ND
别名：HVCB 2010 T0 150K 5% I
HVCB2010T0150K5%I
HVCB2010T0150K5%I-ND
HVCB2010T0150KJI
HVCB2010T0150KJI-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 15M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL15M0
仓库库存编号：
HVCB2010JKL15M0-ND
别名：HVCB 2010 T0 15M 5% I
HVCB2010T015M5%I
HVCB2010T015M5%I-ND
HVCB2010T015MJI
HVCB2010T015MJI-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 390K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL390K
仓库库存编号：
HVCB2010JKL390K-ND
别名：HVCB 2010 T0 390K 5% I
HVCB2010T0390K5%I
HVCB2010T0390K5%I-ND
HVCB2010T0390KJI
HVCB2010T0390KJI-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL500K
仓库库存编号：
HVCB2010JKL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 5% I
HVCB2010T0500K5%I
HVCB2010T0500K5%I-ND
HVCB2010T0500KJI
HVCB2010T0500KJI-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JTD500K
仓库库存编号：
HVCB2010JTD500K-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4.7M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KTD4M70
仓库库存编号：
HVCB2010KTD4M70-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JTC10M0
仓库库存编号：
HVCB2010JTC10M0-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 300M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KTL300M
仓库库存编号：
HVCB2010KTL300M-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2.21M OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL2M21
仓库库存编号：
HVCB2010FTL2M21-ND
别名：HVCB 2010 T0 2.21M 1% R
HVCB2010T02.21M1%R
HVCB2010T02.21M1%R-ND
HVCB2010T02.21MFR
HVCB2010T02.21MFR-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL500K
仓库库存编号：
HVCB2010FTL500K-ND
别名：HVCB 2010 T0 500K 1% R
HVCB2010T0500K1%R
HVCB2010T0500K1%R-ND
HVCB2010T0500KFR
HVCB2010T0500KFR-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 249K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FTL249K
仓库库存编号：
HVCB2010FTL249K-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 250M OHM 5% 1W 2010
详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010JKL250M
仓库库存编号：
HVCB2010JKL250M-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 4.7M OHM 10% 1W 2010
详细描述：±10% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010KKD4M70
仓库库存编号：
HVCB2010KKD4M70-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1.82K OHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB2010FKL1K82
仓库库存编号：
HVCB2010FKL1K82-ND
别名：HVCB 2010 T0 1.82K 1% I
HVCB2010T01.82K1%I
HVCB2010T01.82K1%I-ND
HVCB2010T01.82KFI
HVCB2010T01.82KFI-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 121 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B121DRT1
仓库库存编号：
M55342H08B121DRT1-ND
别名：M55342H08B121DRT1-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 316K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B316EPT1
仓库库存编号：
M55342H08B316EPT1-ND
别名：M55342H08B316EPT1-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 1.5K OHM 5% 0.8W 2010
详细描述：±5% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B1K50RT5
仓库库存编号：
M55342H08B1K50RT5-ND
别名：M55342H08B1K50RT5-MIL
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
含铅
搜索
665
666
667
668
669
670
671
672
673
674
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
