规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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Vishay Dale
RES SMD 15 MOHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流感应，防潮，脉冲耐受 金属元素
型号：
WSLT2010R0150FEB18
仓库库存编号：
WSLTA-.015CT-ND
别名：WSLTA-.015CT
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Vishay Dale
RES SMD 30 MOHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流感应，防潮，脉冲耐受 金属元素
型号：
WSLT2010R0300FEB18
仓库库存编号：
WSLTA-.030CT-ND
别名：WSLTA-.030CT
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Vishay Dale
RES SMD 39 MOHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流感应，防潮，脉冲耐受 金属元素
型号：
WSLT2010R0390FEB18
仓库库存编号：
WSLTA-.039CT-ND
别名：WSLTA-.039CT
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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TE Connectivity Passive Product
RES SMD 15 MOHM 1% 1.5W 2010
详细描述：±1% 1.5W 金属箔 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 金属箔
型号：
TLR2H15WR015FTDG
仓库库存编号：
TLR2H15WR015FTDG-ND
别名：2-2176167-3
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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TE Connectivity Passive Product
RES SMD 20 MOHM 1% 1.5W 2010
详细描述：±1% 1.5W 金属箔 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 金属箔
型号：
TLR2H15WR020FTDG
仓库库存编号：
TLR2H15WR020FTDG-ND
别名：2-2176167-6
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 182 OHM 0.1% 1/3W 2010
详细描述：±0.1% 0.333W，1/3W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200 薄膜
型号：
RNCF2010BTY182R
仓库库存编号：
RNCF2010BTY182R-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 350 OHM 0.1% 1/3W 2010
详细描述：±0.1% 0.333W，1/3W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200 薄膜
型号：
RNCF2010BTY350R
仓库库存编号：
RNCF2010BTY350R-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 357 OHM 0.1% 1/3W 2010
详细描述：±0.1% 0.333W，1/3W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200 薄膜
型号：
RNCF2010BTY357R
仓库库存编号：
RNCF2010BTY357R-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 30 MOHM 0.5% 3/4W 2010
详细描述：±0.5% 0.75W，3/4W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 耐腐蚀，电流感应，防潮 厚膜
型号：
LVK20R030DER
仓库库存编号：
LVK20R030DERTR-ND
别名：LVK20R030DERTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 15 MOHM 0.5% 3/4W 2010
详细描述：±0.5% 0.75W，3/4W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 耐腐蚀，电流感应，防潮 厚膜
型号：
LVK20R015DER
仓库库存编号：
LVK20R015DERCT-ND
别名：LVK20R015DERCT
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Yageo
RES SMD 200 OHM 0.1% 1/2W 2010
详细描述：±0.1% 0.5W，1/2W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 防潮 薄膜
型号：
RT2010BKC07200RL
仓库库存编号：
RT2010BKC07200RL-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Yageo
RES SMD 52.3 OHM 0.1% 1/2W 2010
详细描述：±0.1% 0.5W，1/2W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 防潮 薄膜
型号：
RT2010BKC0752R3L
仓库库存编号：
RT2010BKC0752R3L-ND
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Yageo
RES SMD 8 MOHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 厚膜
型号：
PR2010FKE7W0R008Z
仓库库存编号：
311-0.008PCCT-ND
别名：0.008PCCT
0.008PCCT-ND
311-0.008PCCT
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Yageo
RES SMD 6 MOHM 1% 1W 2010
详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 厚膜
型号：
PR2010FKE7W0R006Z
仓库库存编号：
311-0.006PCCT-ND
别名：0.006PCCT
0.006PCCT-ND
311-0.006PCCT
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Rohm Semiconductor
RES SMD 680 MOHM 1% 1/2W 2010
详细描述：±1% 0.5W，1/2W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200 厚膜
型号：
MCR50JZHFLR680
仓库库存编号：
RHM.68UCT-ND
别名：RHM.68UCT
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
RES SMD 4 MOHM 1% 1/2W 2010
详细描述：±1% 0.5W，1/2W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮 金属元素
型号：
ERJ-MP3KF4M0U
仓库库存编号：
P19358CT-ND
别名：P19358CT
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 10 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR010FET
仓库库存编号：
RW0S6BBR010FETTR-ND
别名：RW0S6BBR010FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 15 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR015FET
仓库库存编号：
RW0S6BBR015FETTR-ND
别名：RW0S6BBR015FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 30 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR030FET
仓库库存编号：
RW0S6BBR030FETTR-ND
别名：RW0S6BBR030FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 75 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR075FET
仓库库存编号：
RW0S6BBR075FETTR-ND
别名：RW0S6BBR075FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 240 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR240FET
仓库库存编号：
RW0S6BBR240FETTR-ND
别名：RW0S6BBR240FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 470 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR470FET
仓库库存编号：
RW0S6BBR470FETTR-ND
别名：RW0S6BBR470FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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RES SMD 750 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BBR750FET
仓库库存编号：
RW0S6BBR750FETTR-ND
别名：RW0S6BBR750FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 2 OHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BB2R00FET
仓库库存编号：
RW0S6BB2R00FETTR-ND
别名：RW0S6BB2R00FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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Ohmite
RES SMD 5 OHM 1% 0.6W 2010
详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
型号：
RW0S6BB5R00FET
仓库库存编号：
RW0S6BB5R00FETTR-ND
别名：RW0S6BB5R00FETTR
规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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