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• Vishay Dale
  RES SMD 10 MOHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL2010R0100FEA18
  仓库库存编号：WSLF-.01CT-ND
  别名：WSLF-.01CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 50 MOHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL2010R0500FEA18
  仓库库存编号：WSLF-.05CT-ND
  别名：WSLF-.05CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 33 MOHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL2010R0330FEA18
  仓库库存编号：WSLF-.033CT-ND
  别名：WSLF-.033CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Ohmite
  RES SMD 20 MOHM 0.5% 3/4W 2010
  详细描述：±0.5% 0.75W，3/4W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 耐腐蚀，电流感应，防潮 厚膜
  
  型号：LVK20R020DER
  仓库库存编号：LVK20R020DERCT-ND
  别名：LVK20R020DERCT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 6 MOHM 1% 1/2W 2010
  详细描述：±1% 0.5W，1/2W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL20106L000FEA
  仓库库存编号：WSLE-.006CT-ND
  别名：WSLE-.006CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 3 MOHM 1% 1/2W 2010
  详细描述：±1% 0.5W，1/2W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL20103L000FEA
  仓库库存编号：WSLE-.003CT-ND
  别名：WSLE-.003CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 4 MOHM 1% 1/2W 2010
  详细描述：±1% 0.5W，1/2W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL20104L000FEA
  仓库库存编号：WSLE-.004CT-ND
  别名：WSLE-.004CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Ohmite
  RES SMD 20 MOHM 1% 0.6W 2010
  详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
  
  型号：RW0S6BBR020FET
  仓库库存编号：RW0S6BBR020FETCT-ND
  别名：RW0S6BBR020FETCT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Ohmite
  RES SMD 100 OHM 1% 0.6W 2010
  详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
  
  型号：RW0S6BB100RFET
  仓库库存编号：RW0S6BB100RFETCT-ND
  别名：RW0S8BB100RFETCT
  RW0S8BB100RFETCT-ND
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Ohmite
  RES SMD 15 OHM 1% 0.6W 2010
  详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
  
  型号：RW0S6BB15R0FET
  仓库库存编号：RW0S6BB15R0FETCT-ND
  别名：RW0S6BB15R0FETCT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Ohmite
  RES SMD 50 MOHM 1% 0.6W 2010
  详细描述：±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010（5025 公制） 电流检测 绕线
  
  型号：RW0S6BBR050FET
  仓库库存编号：RW0S6BBR050FETCT-ND
  别名：RW0S6BBR050FETCT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 7 MOHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL20107L000FEA18
  仓库库存编号：WSLF-.007CT-ND
  别名：WSLF-.007CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 8 MOHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL20108L000FEA18
  仓库库存编号：WSLF-.008CT-ND
  别名：WSLF-.008CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 1 MOHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 金属元素 芯片电阻 2010（5025 公制） 汽车级 AEC-Q200，电流检测，防潮，防脉冲 金属元素
  
  型号：WSL20101L000FEA18
  仓库库存编号：WSLF-.001CT-ND
  别名：WSLF-.001CT
  
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• Vishay Dale
  RES SMD 0 OHM JUMPER 0.8W 2010
  详细描述：跳接器 0.8W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用 厚膜
  
  型号：M32159B08MS3
  仓库库存编号：1135-1676-1-ND
  别名：1135-1676-1
  1135-1676-1-MIL
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Stackpole Electronics Inc.
  RES SMD 1M OHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
  
  型号：HVCB2010FDC1M00
  仓库库存编号：HVCB2010FDC1M00CT-ND
  别名：HVCB2010FDC1M00CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 10M OHM 1% 1/2W 2010
  详细描述：±1% 0.5W，1/2W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压 厚膜
  
  型号：CRHV2010AF10M0FKE5
  仓库库存编号：CRHV10.0MCCT-ND
  别名：CRHV10.0MCCT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Vishay Dale
  RES SMD 20M OHM 1% 1/2W 2010
  详细描述：±1% 0.5W，1/2W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压 厚膜
  
  型号：CRHV2010AF20M0FKE5
  仓库库存编号：CRHV20.0MCCT-ND
  别名：CRHV20.0MCCT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Stackpole Electronics Inc.
  RES SMD 500K OHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
  
  型号：HVCB2010FDL500K
  仓库库存编号：HVCB2010FDL500KCT-ND
  别名：HVCB2010FDL500KCT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Stackpole Electronics Inc.
  RES SMD 10K OHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
  
  型号：HVCB2010FDD10K0
  仓库库存编号：HVCB2010FDD10K0CT-ND
  别名：HVCB2010FDD10K0CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Stackpole Electronics Inc.
  RES SMD 2M OHM 1% 1W 2010
  详细描述：±1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
  
  型号：HVCB2010FDC2M00
  仓库库存编号：HVCB2010FDC2M00CT-ND
  别名：HVCB2010FDC2M00CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Stackpole Electronics Inc.
  RES SMD 1M OHM 0.1% 1W 2010
  详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
  
  型号：HVCB2010BDE1M00
  仓库库存编号：HVCB2010BDE1M00CT-ND
  别名：HVCB2010BDE1M00CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Stackpole Electronics Inc.
  RES SMD 10M OHM 0.1% 1W 2010
  详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
  
  型号：HVCB2010BDE10M0
  仓库库存编号：HVCB2010BDE10M0CT-ND
  别名：HVCB2010BDE10M0CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Stackpole Electronics Inc.
  RES SMD 50M OHM 0.1% 1W 2010
  详细描述：±0.1% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
  
  型号：HVCB2010BDE50M0
  仓库库存编号：HVCB2010BDE50M0CT-ND
  别名：HVCB2010BDE50M0CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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• Stackpole Electronics Inc.
  RES SMD 1G OHM 5% 1W 2010
  详细描述：±5% 1W 厚膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
  
  型号：HVCB2010JDL1G00
  仓库库存编号：HVCB2010JDL1G00CT-ND
  别名：HVCB2010JDL1G00CT
  
  规格：封装/外壳 2010（5025 公制）,
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