规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
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Vishay Dale
RES SMD 30.1 OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B30D1RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B30D1RT5V-ND
别名：M55342K06B30D1RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 30.1K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B30E1PT5V
仓库库存编号：
M55342K06B30E1PT5V-ND
别名：M55342K06B30E1PT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 340 OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B340DRT5V
仓库库存编号：
M55342K06B340DRT5V-ND
别名：M55342K06B340DRT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 34.8 OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B34D8RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B34D8RT5V-ND
别名：M55342K06B34D8RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 390 OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B390DRT5V
仓库库存编号：
M55342K06B390DRT5V-ND
别名：M55342K06B390DRT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 392 OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B392DRT5V
仓库库存编号：
M55342K06B392DRT5V-ND
别名：M55342K06B392DRT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 3.32K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B3E32RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B3E32RT5V-ND
别名：M55342K06B3E32RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 475K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B475ERT5V
仓库库存编号：
M55342K06B475ERT5V-ND
别名：M55342K06B475ERT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 499 OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B499DPT5V
仓库库存编号：
M55342K06B499DPT5V-ND
别名：M55342K06B499DPT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 49.9K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B49E9PT5V
仓库库存编号：
M55342K06B49E9PT5V-ND
别名：M55342K06B49E9PT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 4.02K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B4E02PT5V
仓库库存编号：
M55342K06B4E02PT5V-ND
别名：M55342K06B4E02PT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 4.64K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B4E64RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B4E64RT5V-ND
别名：M55342K06B4E64RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 4.75K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B4E75RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B4E75RT5V-ND
别名：M55342K06B4E75RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 59K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B59E0RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B59E0RT5V-ND
别名：M55342K06B59E0RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 681 OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B681DRT5V
仓库库存编号：
M55342K06B681DRT5V-ND
别名：M55342K06B681DRT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 80.6K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B80E6RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B80E6RT5V-ND
别名：M55342K06B80E6RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 82.5 OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B82D5RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B82D5RT5V-ND
别名：M55342K06B82D5RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 8.06K OHM 1% 0.15W 0705
详细描述：±1% 0.15W 薄膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342K06B8E06RT5V
仓库库存编号：
M55342K06B8E06RT5V-ND
别名：M55342K06B8E06RT5V-MIL
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
含铅
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Knowles Syfer
CAP CER 16PF 50V C0G/NP0 0805
详细描述：±1% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 0805（2012 公制）
型号：
0805Y0500160FQT
仓库库存编号：
0805Y0500160FQT-ND
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 50V C0G/NP0 0805
详细描述：±1% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 0805（2012 公制）
型号：
0805Y0500180FQT
仓库库存编号：
0805Y0500180FQT-ND
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 16PF 63V C0G/NP0 0805
详细描述：±1% 63V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 0805（2012 公制）
型号：
0805Y0630160FQT
仓库库存编号：
0805Y0630160FQT-ND
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 63V C0G/NP0 0805
详细描述：±1% 63V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 0805（2012 公制）
型号：
0805Y0630180FQT
仓库库存编号：
0805Y0630180FQT-ND
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 16PF 100V C0G/NP0 0805
详细描述：±1% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 0805（2012 公制）
型号：
0805Y1000160FQT
仓库库存编号：
0805Y1000160FQT-ND
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 18PF 100V C0G/NP0 0805
详细描述：±1% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 0805（2012 公制）
型号：
0805Y1000180FQT
仓库库存编号：
0805Y1000180FQT-ND
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 16PF 150V C0G/NP0 0805
详细描述：±1% 150V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 0805（2012 公制）
型号：
0805Y1500160FQT
仓库库存编号：
0805Y1500160FQT-ND
规格：封装/外壳 0805（2012 公制）,
无铅
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