规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
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Vishay Dale
RES SMD 4.99K OHM 0.1% 1/4W 1206
详细描述：±0.1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342E07B4B99MT3
仓库库存编号：
D55342E07B4B99MT3-ND
别名：D55342E07B4B99MT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 4.99K OHM 0.1% 1/4W 1206
详细描述：±0.1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342E07B4B99RT3
仓库库存编号：
D55342E07B4B99RT3-ND
别名：D55342E07B4B99RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 4.42K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342E07B4E42RT3
仓库库存编号：
D55342E07B4E42RT3-ND
别名：D55342E07B4E42RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 4.99K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342E07B4E99RT3
仓库库存编号：
D55342E07B4E99RT3-ND
别名：D55342E07B4E99RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 511 OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342E07B511DRT3
仓库库存编号：
D55342E07B511DRT3-ND
别名：D55342E07B511DRT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 796 OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342E07B796DRT3
仓库库存编号：
D55342E07B796DRT3-ND
别名：D55342E07B796DRT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 8.76K OHM 0.1% 1/4W 1206
详细描述：±0.1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342E07B8B76RT3
仓库库存编号：
D55342E07B8B76RT3-ND
别名：D55342E07B8B76RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 18.4K OHM 0.1% 1/4W 1206
详细描述：±0.1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B18B4RT3
仓库库存编号：
D55342H07B18B4RT3-ND
别名：D55342H07B18B4RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 1.1K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B1E10RT3
仓库库存编号：
D55342H07B1E10RT3-ND
别名：D55342H07B1E10RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 20K OHM 0.1% 1/4W 1206
详细描述：±0.1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B20B0RT3
仓库库存编号：
D55342H07B20B0RT3-ND
别名：D55342H07B20B0RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 20K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B20E0RT3
仓库库存编号：
D55342H07B20E0RT3-ND
别名：D55342H07B20E0RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 36.5K OHM 0.1% 1/4W 1206
详细描述：±0.1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B36B5RT3
仓库库存编号：
D55342H07B36B5RT3-ND
别名：D55342H07B36B5RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 3.3K OHM 2% 1/4W 1206
详细描述：±2% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B3H30RT3
仓库库存编号：
D55342H07B3H30RT3-ND
别名：D55342H07B3H30RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 7.15K OHM 0.1% 1/4W 1206
详细描述：±0.1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B7B15PT3
仓库库存编号：
D55342H07B7B15PT3-ND
别名：D55342H07B7B15PT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 7.15K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B7E15RT3
仓库库存编号：
D55342H07B7E15RT3-ND
别名：D55342H07B7E15RT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 8.25K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B8E25PT3
仓库库存编号：
D55342H07B8E25PT3-ND
别名：D55342H07B8E25PT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Vishay Dale
RES SMD 9.53K OHM 1% 1/4W 1206
详细描述：±1% 0.25W，1/4W 薄膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
D55342H07B9E53PT3
仓库库存编号：
D55342H07B9E53PT3-ND
别名：D55342H07B9E53PT3-MIL
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
含铅
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Knowles Syfer
CAP CER 1200PF 100V C0G/NP0 1206
详细描述：±1% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1206（3216 公制）
型号：
1206Y1000122FQT
仓库库存编号：
1206Y1000122FQT-ND
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 510PF 50V C0G/NP0 1206
详细描述：510pF ±1% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1206（3216 公制）
型号：
1206J0500511FQT
仓库库存编号：
1206J0500511FQT-ND
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 510PF 100V C0G/NP0 1206
详细描述：510pF ±1% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1206（3216 公制）
型号：
1206J1000511FQT
仓库库存编号：
1206J1000511FQT-ND
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 510PF 150V C0G/NP0 1206
详细描述：510pF ±1% 150V 陶瓷电容器 C0G，NP0 1206（3216 公制）
型号：
1206J1500511FQT
仓库库存编号：
1206J1500511FQT-ND
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 560PF 50V C0G/NP0 1206
详细描述：±1% 50V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1206（3216 公制）
型号：
1206Y0500561FQT
仓库库存编号：
1206Y0500561FQT-ND
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 560PF 100V C0G/NP0 1206
详细描述：±1% 100V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1206（3216 公制）
型号：
1206Y1000561FQT
仓库库存编号：
1206Y1000561FQT-ND
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
无铅
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Knowles Syfer
CAP CER 560PF 150V C0G/NP0 1206
详细描述：±1% 150V 陶瓷电容器 C0G，NP0（1B） 1206（3216 公制）
型号：
1206Y1500561FQT
仓库库存编号：
1206Y1500561FQT-ND
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
无铅
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Ohmite
RES SMD 500M OHM 5% 1/4W 1206
详细描述：±5% 0.25W，1/4W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压 厚膜
型号：
HVC1206Z5006JET
仓库库存编号：
HVC1206Z5006JETCT-ND
别名：HVC1206Z5006JETCT
规格：封装/外壳 1206（3216 公制）,
无铅
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