规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
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KEMET
CAP CER 100PF 10V NP0 0402
详细描述:100pF ±1% 10V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
C0402C101F8GALTU
仓库库存编号:
C0402C101F8GALTU-ND
别名:C0402C101F8GAL
C0402C101F8GAL7867
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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KEMET
CAP CER 47PF 50V C0G/NP0 0402
详细描述:47pF ±1% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
C0402C470F5GAL7867
仓库库存编号:
C0402C470F5GAL7867-ND
别名:C0402C470F5GALTU
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 62PF 25V C0G/NP0 0402
详细描述:62pF ±2% 25V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
VJ0402D620GLXAJ
仓库库存编号:
VJ0402D620GLXAJ-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
搜索
Vishay Vitramon
CAP CER 68PF 25V C0G/NP0 0402
详细描述:68pF ±2% 25V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
VJ0402D680GLXAJ
仓库库存编号:
VJ0402D680GLXAJ-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 75PF 25V C0G/NP0 0402
详细描述:75pF ±2% 25V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
VJ0402D750GLXAJ
仓库库存编号:
VJ0402D750GLXAJ-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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Vishay Vitramon
CAP CER 82PF 25V C0G/NP0 0402
详细描述:82pF ±2% 25V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
VJ0402D820GLXAJ
仓库库存编号:
VJ0402D820GLXAJ-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 50 OHM 1% 1/20W 0402
详细描述:50 Ohms ±1% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E50R0FST1
仓库库存编号:
FC0402E50R0FST1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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KEMET
CAP CER 1000PF 50V NP0 0402
详细描述:1000pF ±1% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
C0402C102F5GALTU
仓库库存编号:
C0402C102F5GALTU-ND
别名:C0402C102F5GAL
C0402C102F5GAL7867
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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IPDiA
CAP SILICON 470PF 15% 11V 0402
详细描述:470pF ±15% Silicon Capacitor 11V 0402 (1005 Metric)
型号:
935131424347
仓库库存编号:
1210-1022-1-ND
别名:1210-1022-1
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 383 OHM 0.01% 1/16W 0402
详细描述:383 Ohms ±0.01% 0.063W,1/16W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 汽车级 AEC-Q200 薄膜
型号:
RNCF0402TTY383R
仓库库存编号:
RNCF0402TTY383R-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 392 OHM 0.01% 1/16W 0402
详细描述:392 Ohms ±0.01% 0.063W,1/16W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 汽车级 AEC-Q200 薄膜
型号:
RNCF0402TTY392R
仓库库存编号:
RNCF0402TTY392R-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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IPDiA
CAP SILICON 100PF 15% 11V 0402
详细描述:100pF ±15% Silicon Capacitor 11V 0402 (1005 Metric)
型号:
935131424310
仓库库存编号:
1210-1021-1-ND
别名:1210-1021-1
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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KEMET
CAP CER 270PF 50V NP0 0402
详细描述:270pF ±1% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
C0402C271F5GALTU
仓库库存编号:
C0402C271F5GALTU-ND
别名:C0402C271F5GAL
C0402C271F5GAL7867
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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KEMET
CAP CER 43PF 10V NP0 0402
详细描述:43pF ±1% 10V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
C0402C430F8GALTU
仓库库存编号:
C0402C430F8GALTU-ND
别名:C0402C430F8GAL
C0402C430F8GAL7867
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1K OHM 0.01% 1/16W 0402
详细描述:1 kOhms ±0.01% 0.063W,1/16W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 汽车级 AEC-Q200 薄膜
型号:
RNCF0402TKY1K00
仓库库存编号:
RNCF0402TKY1K00CT-ND
别名:RNCF0402TKY1K00CT
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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KEMET
CAP CER 820PF 50V NP0 0402
详细描述:820pF ±1% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)
型号:
C0402C821F5GALTU
仓库库存编号:
C0402C821F5GALTU-ND
别名:C0402C821F5GAL
C0402C821F5GAL7867
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 50 OHM 0.1% 1/20W 0402
详细描述:50 Ohms ±0.1% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E50R0BTBT1
仓库库存编号:
FC0402E50R0BTBT1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 50 OHM 0.1% 1/20W 0402
详细描述:50 Ohms ±0.1% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E50R0BBT1
仓库库存编号:
FC0402E50R0BBT1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 100 OHM 0.1% 1/20W 0402
详细描述:100 Ohms ±0.1% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E1000BBT1
仓库库存编号:
FC0402E1000BBT1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 100 OHM 0.1% 1/20W 0402
详细描述:100 Ohms ±0.1% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E1000BTBT1
仓库库存编号:
FC0402E1000BTBT1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
含铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 50 OHM 0.5% 1/20W 0402
详细描述:50 Ohms ±0.5% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E50R0DTBST1
仓库库存编号:
FC0402E50R0DTBST1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 50 OHM 0.5% 1/20W 0402
详细描述:50 Ohms ±0.5% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E50R0DST1
仓库库存编号:
FC0402E50R0DST1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 100 OHM 0.5% 1/20W 0402
详细描述:100 Ohms ±0.5% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E1000DST1
仓库库存编号:
FC0402E1000DST1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 100 OHM 0.5% 1/20W 0402
详细描述:100 Ohms ±0.5% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E1000DTBST1
仓库库存编号:
FC0402E1000DTBST1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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Vishay Thin Film
RES SMD 50 OHM 1% 1/20W 0402
详细描述:50 Ohms ±1% 0.05W,1/20W 薄膜 芯片电阻 0402(1005 公制) 射频,高频率 薄膜
型号:
FC0402E50R0FTBST1
仓库库存编号:
FC0402E50R0FTBST1-ND
规格:封装/外壳 0402(1005 公制),
无铅
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