规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(262)
分立半导体产品
(257)
集成电路（IC）
(5)
筛选品牌
Infineon Technologies(262)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S207ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2-07
IPB100N08S2-07-ND
SP000219044
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N08S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB100N08S2L-07
IPB100N08S2L-07-ND
SP000219053
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S402ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S402ATMA2-ND
别名：SP001028776
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA2
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA2-ND
别名：SP001067944
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2
详细描述：IGBT Trench 600V 60A 187W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
IGB30N60TATMA1
仓库库存编号：
IGB30N60TATMA1TR-ND
别名：IGB30N60T
IGB30N60T-ND
SP000095765
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB16N50C3
仓库库存编号：
SPB16N50C3INCT-ND
别名：SPB16N50C3INCT
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名：SP001028782
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB031NE7N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
别名：IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R199CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R199CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
详细描述：IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号：
SGB07N120ATMA1
仓库库存编号：
SGB07N120ATMA1TR-ND
别名：SGB07N120
SGB07N120-ND
SP000012559
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N08S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N08S403ATMA1-ND
别名：SP000989104
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N10S3-05
仓库库存编号：
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名：IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N10S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N10S403ATMA1-ND
别名：SP001102598
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB60R099CPAATMA1
仓库库存编号：
IPB60R099CPAATMA1TR-ND
别名：IPB60R099CPA
IPB60R099CPA-ND
SP000315443
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB05N03LA
仓库库存编号：
IPB05N03LAINCT-ND
别名：IPB05N03LAINCT
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB06N03LA
仓库库存编号：
IPB06N03LAINCT-ND
别名：IPB06N03LAINCT
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB09N03LA
仓库库存编号：
IPB09N03LAINTR-ND
别名：IPB09N03LAINTR
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB14N03LA
仓库库存编号：
IPB14N03LAINTR-ND
别名：IPB14N03LAINTR
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB02N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPB02N60C3ATMA1TR-ND
别名：SP000013516
SPB02N60C3
SPB02N60C3INTR
SPB02N60C3INTR-ND
SPB02N60C3XT
SPB02N60C3XT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB03N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPB03N60C3ATMA1CT-ND
别名：SPB03N60C3INCT
SPB03N60C3INCT-ND
SPB03N60C3XTINCT
SPB03N60C3XTINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2-03
仓库库存编号：
SPB100N03S203INTR-ND
别名：SPB100N03S203INTR
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号：
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名：SPB100N03S2L-INTR
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10
仓库库存编号：
SPB21N10INCT-ND
别名：SPB21N10INCT
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10
仓库库存编号：
SPB35N10INTR-ND
别名：SPB35N10INTR
规格：供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
