规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD10N60RFAATMA1
仓库库存编号：
IKD10N60RFAATMA1-ND
别名：SP001205244
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD046N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPD046N08N5ATMA1-ND
别名：SP001475652
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2-15
仓库库存编号：
IPD30N06S2-15CT-ND
别名：IPD30N06S2-15CT
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD050N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPD050N10N5ATMA1-ND
别名：SP001602184
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 30A 240W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD15N60RFAATMA1
仓库库存编号：
IKD15N60RFAATMA1-ND
别名：SP001205248
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R420CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPD65R420CFDAATMA1-ND
别名：SP000928262
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 250W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 30A 250W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD15N60RAATMA1
仓库库存编号：
IKD15N60RAATMA1TR-ND
别名：IKD15N60RA
IKD15N60RA-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001277630
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD320N20N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD320N20N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3 GCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 12A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD12SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD12SG60CXTMA1TR-ND
别名：IDD12SG60C
IDD12SG60C-ND
SP000411552
SP000786816
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60S5
仓库库存编号：
SPD07N60S5INCT-ND
别名：SPD07N60S5INCT
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD04N03LA G
仓库库存编号：
IPD04N03LAGINCT-ND
别名：IPD04N03LAGINCT
IPD04N03LAINCT
IPD04N03LAINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD05N03LA G
仓库库存编号：
IPD05N03LAGINTR-ND
别名：IPD05N03LA
IPD05N03LAG
IPD05N03LAGINTR
IPD05N03LAGXT
IPD05N03LAGXT-ND
IPD05N03LAINTR
IPD05N03LAINTR-ND
SP000017599
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD06N03LA G
仓库库存编号：
IPD06N03LAGINCT-ND
别名：IPD06N03LAGINCT
IPD06N03LAGXTINCT
IPD06N03LAGXTINCT-ND
IPD06N03LAINCT
IPD06N03LAINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD09N03LA G
仓库库存编号：
IPD09N03LAGINCT-ND
别名：IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINCT-ND
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD13N03LA G
仓库库存编号：
IPD13N03LAGINCT-ND
别名：IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAGXTINCT-ND
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD35N10
仓库库存编号：
SPD35N10INCT-ND
别名：SPD35N10INCT
SPD35N10XTINCT
SPD35N10XTINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N50C3
仓库库存编号：
SPD02N50C3INTR-ND
别名：SP000014476
SPD02N50C3INTR
SPD02N50C3XT
SPD02N50C3XT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD02N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD02N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD02N60C3INCT
SPD02N60C3INCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD06N80C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD06N80C3BTMA1CT-ND
别名：SPD06N80C3INCT
SPD06N80C3INCT-ND
SPD06N80C3XTINCT
SPD06N80C3XTINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD07N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD07N60C3INCT
SPD07N60C3INCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 9.7A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD09P06PL
仓库库存编号：
SPD09P06PLINCT-ND
别名：SPD09P06PLINCT
SPD09P06PLXTINCT
SPD09P06PLXTINCT-ND
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L-07
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07INCT-ND
别名：SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07INCT
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L-10
仓库库存编号：
SPD30N03S2L10INCT-ND
别名：SPD30N03S2L10
SPD30N03S2L10INCT
规格：供应商器件封装 PG-TO252-3,
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