规格:供应商器件封装 TO-247,
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Ohmite
RES 6.8K OHM 100W 5% TO-247
详细描述:±5% 100W Through Hole Resistor TO-247-2 Moisture Resistant, Non-Inductive Thick Film
型号:
AP101 6K8 J
仓库库存编号:
AP101 6K8 J-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Ohmite
RES 82 OHM 100W 5% TO-247
详细描述:±5% 100W Through Hole Resistor TO-247-2 Moisture Resistant, Non-Inductive Thick Film
型号:
AP101 82R J
仓库库存编号:
AP101 82R J-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Ohmite
RES 1.2K OHM 100W 5% TO-247
详细描述:±5% 100W Through Hole Resistor TO-247-2 Moisture Resistant, Non-Inductive Thick Film
型号:
AP101 1K2 J
仓库库存编号:
AP101 1K2 J-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 75A 521W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
型号:
APT25GR120BD15
仓库库存编号:
APT25GR120BD15-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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IXYS
850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXFH20N85X
仓库库存编号:
IXFH20N85X-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 780W(Tc) TO-247
型号:
IXTH62N65X2
仓库库存编号:
IXTH62N65X2-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
IXFH120N25X3
仓库库存编号:
IXFH120N25X3-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXFH50N85X
仓库库存编号:
IXFH50N85X-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:
IXTH80N65X2
仓库库存编号:
IXTH80N65X2-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Microsemi Corporation
RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 125V 81.36MHz 15dB 100W TO-247
型号:
ARF463AP1G
仓库库存编号:
ARF463AP1G-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Microsemi Corporation
RF MOSFET N-CH 1000V TO247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 50V 65MHz 15dB 150W TO-247
型号:
ARF461AG
仓库库存编号:
ARF461AG-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 165W TO247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 40A 165W Through Hole TO-247
型号:
FGH20N60UFDTU
仓库库存编号:
FGH20N60UFDTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
FQH44N10_F133
仓库库存编号:
FQH44N10_F133FS-ND
别名:FQH44N10_F133-ND
FQH44N10_F133FS
FQH44N10F133
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 167W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-247
型号:
STGW20V60F
仓库库存编号:
497-13959-5-ND
别名:497-13959-5
STGW20V60F-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 192W Through Hole TO-247
型号:
NGTB20N120LWG
仓库库存编号:
NGTB20N120LWGOS-ND
别名:NGTB20N120LWG-ND
NGTB20N120LWGOS
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 30A 260W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 30A 260W Through Hole TO-247
型号:
STGW30H65FB
仓库库存编号:
497-14467-5-ND
别名:497-14467-5
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK16N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK16N60WS1VF-ND
别名:TK16N60W,S1VF(S
TK16N60WS1VF
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 310W(Tc) TO-247
型号:
FDH047AN08A0
仓库库存编号:
FDH047AN08A0FS-ND
别名:FDH047AN08A0-ND
FDH047AN08A0FS
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-247
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
型号:
RJH60D7BDPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH60D7BDPQ-E0#T2-ND
别名:RJH60D7BDPQE0T2
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-247
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
型号:
RJH60D7DPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH60D7DPQ-E0#T2-ND
别名:RJH60D7DPQE0T2
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 240A 882W Through Hole TO-247
型号:
FGY160T65SPD_F085
仓库库存编号:
FGY160T65SPD_F085-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 134W(Tc) TO-247
型号:
CMF10120D
仓库库存编号:
CMF10120D-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTH3N200P3HV-ND
规格:供应商器件封装 TO-247,
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 350W(Tc) TO-247
型号:
STW56N60M2
仓库库存编号:
497-15577-5-ND
别名:497-15577-5
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STW42N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15883-5-ND
别名:497-15883-5
规格:供应商器件封装 TO-247,
无铅
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