规格:供应商器件封装 TO-3P,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 320W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N25X3
仓库库存编号:
IXFQ60N25X3-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 520W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ120N25X3
仓库库存编号:
IXFQ120N25X3-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
FYA3010DNTU
仓库库存编号:
FYA3010DNTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 140V 10A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 10A 30MHz 100W Through Hole TO-3P
型号:
FJA4210OTU
仓库库存编号:
FJA4210OTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE ARRAY GP 200V 30A TO3PN
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
FFA60UP20DNTU
仓库库存编号:
FFA60UP20DNTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
型号:
FQA10N80C_F109
仓库库存编号:
FQA10N80C_F109FS-ND
别名:FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
FQA10N80CF109
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 250V 17A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
型号:
FJA4313RTU
仓库库存编号:
FJA4313RTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS PNP 120V 8A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 8A 20MHz 80W Through Hole TO-3P
型号:
2STA1694
仓库库存编号:
497-6954-5-ND
别名:497-6954-5
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 120V 8A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 8A 20MHz 80W Through Hole TO-3P
型号:
2STC4467
仓库库存编号:
497-6957-5-ND
别名:497-6957-5
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 250V 17A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
型号:
2SA1962RTU
仓库库存编号:
2SA1962RTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS PNP 230V 15A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 230V 15A 30MHz 150W Through Hole TO-3P
型号:
2STA1962
仓库库存编号:
497-7056-5-ND
别名:2STA1962-ND
497-7056-5
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 250V 17A TO-3PN
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P
型号:
FJA4213RTU
仓库库存编号:
FJA4213RTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Sanken
TRIAC 400V 16A
详细描述:TRIAC Standard 400V 16A Through Hole TO-3P
型号:
TMA164P-L
仓库库存编号:
TMA164P-L-ND
别名:TMA164P-L DK
规格:供应商器件封装 TO-3P,
不受无铅要求限制
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Sanken
TRIAC 600V 16A
详细描述:TRIAC Standard 600V 16A Through Hole TO-3P
型号:
TMA166P-L
仓库库存编号:
TMA166P-L-ND
别名:TMA166P-L DK
规格:供应商器件封装 TO-3P,
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
TRANS PNP 250V 17A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 25MHz 200W Through Hole TO-3P
型号:
2STA2120
仓库库存编号:
497-8740-5-ND
别名:497-8740-5
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1350V 40A 223W Through Hole TO-3P
型号:
GPA020A135MN-FD
仓库库存编号:
1560-1217-5-ND
别名:1560-1217-1
1560-1217-1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ450P2
仓库库存编号:
IXTQ450P2-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ20N50P3
仓库库存编号:
IXFQ20N50P3-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
详细描述:IGBT 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
型号:
RJP6085DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJP6085DPK-00#T0-ND
别名:RJP6085DPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ22N60P3
仓库库存编号:
IXFQ22N60P3-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F5DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F5DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F5DPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 160W TO3P
详细描述:IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3P
型号:
SGH40N60UFTU
仓库库存编号:
SGH40N60UFTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 245W Through Hole TO-3P
型号:
RJH1CV5DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1CV5DPK-00#T0-ND
别名:RJH1CV5DPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 695W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ28N60P3
仓库库存编号:
IXFQ28N60P3-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 1200V 60A 290W Through Hole TO-3P
型号:
RJH1CV6DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1CV6DPK-00#T0-ND
别名:RJH1CV6DPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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