规格:供应商器件封装 TO-3P,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 150V 102A(Tc) 455W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ102N15T
仓库库存编号:
IXTQ102N15T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3PN
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300V 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
FFA60UP30DNTU_F109
仓库库存编号:
FFA60UP30DNTU_F109-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
SSH70N10A
仓库库存编号:
SSH70N10A-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 150A TO3P
详细描述:IGBT 300V 150A Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ150N30TC
仓库库存编号:
IXGQ150N30TC-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 330V 180A TO3P
详细描述:IGBT 330V 180A Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ180N33TC
仓库库存编号:
IXGQ180N33TC-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 30A TO3P
详细描述:IGBT 600V 30A Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ30N60C2D4
仓库库存编号:
IXGQ30N60C2D4-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 330V 90A 200W TO3P
详细描述:IGBT Trench 330V 90A 200W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ90N33TC
仓库库存编号:
IXGQ90N33TC-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 330V 90A 200W TO3P
详细描述:IGBT Trench 330V 90A 200W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ90N33TCD1
仓库库存编号:
IXGQ90N33TCD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 280V 80A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ80N28T
仓库库存编号:
IXTQ80N28T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS PNP 100V 25A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 25A 3MHz 125W Through Hole TO-3P
型号:
TIP36CP
仓库库存编号:
TIP36CP-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 140W TO3P
详细描述:IGBT Trench 600V 45A 140W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D0DPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 75A 200W TO3P
详细描述:IGBT Trench 600V 75A 200W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D5DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D5DPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260W TO3P
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 260W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D6DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D6DPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 100A 300W TO3P
详细描述:IGBT PT 600V 100A 300W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ50N60B4D1
仓库库存编号:
IXGQ50N60B4D1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 90A 300W TO3P
详细描述:IGBT PT 600V 90A 300W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ50N60C4D1
仓库库存编号:
IXGQ50N60C4D1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F3DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F3DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F3DPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 60A 235.8W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F4DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F4DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F4DPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 80W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1339-E
仓库库存编号:
2SK1339-E-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1341-E
仓库库存编号:
2SK1341-E-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1342-E
仓库库存编号:
2SK1342-E-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1775-E
仓库库存编号:
2SK1775-E-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1859-E
仓库库存编号:
2SK1859-E-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 65A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK2511DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK2511DPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 43A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 400V 43A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK4018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK4018DPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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