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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO3P
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 15A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
  
  型号：FFA15U120DNTU
  仓库库存编号：FFA15U120DNTU-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 35A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA35N40
  仓库库存编号：FQA35N40-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 40A 310W TO3P
  详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA25N120ANDTU
  仓库库存编号：FGA25N120ANDTU-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE ARRAY GP 1200V 20A TO3P
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 20A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
  
  型号：FFA20U120DNTU
  仓库库存编号：FFA20U120DNTU-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 100A 240W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 100A 240W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA50N60LS
  仓库库存编号：FGA50N60LS-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 40A 310W TO3P
  详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA25N120ANTU
  仓库库存编号：FGA25N120ANTU-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 120A 290W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 120A 290W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA120N30DTU
  仓库库存编号：FGA120N30DTU-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 30A 186W TO3P
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1200V 30A 186W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA15N120ANTDTU
  仓库库存编号：FGA15N120ANTDTU-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 90A 219W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 90A 219W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA90N30DTU
  仓库库存编号：FGA90N30DTU-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 90A 219W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 90A 219W Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA90N30TU
  仓库库存编号：FGA90N30TU-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SJ162-E
  仓库库存编号：2SJ162-E-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1058-E
  仓库库存编号：2SK1058-E-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 8A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK2221-E
  仓库库存编号：2SK2221-E-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• IXYS
  DIODE ARRAY GP 200V 30A TO3P
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
  
  型号：DSEC60-02AQ
  仓库库存编号：DSEC60-02AQ-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 152A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 152A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ152N085T
  仓库库存编号：IXTQ152N085T-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ160N075T
  仓库库存编号：IXTQ160N075T-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 160A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ160N085T
  仓库库存编号：IXTQ160N085T-ND
  
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  MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N055T
  仓库库存编号：IXTQ180N055T-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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  MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N085T
  仓库库存编号：IXTQ180N085T-ND
  
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  MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 182A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ182N055T
  仓库库存编号：IXTQ182N055T-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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  MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N075T
  仓库库存编号：IXTQ200N075T-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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  MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 200A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N085T
  仓库库存编号：IXTQ200N085T-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ220N055T
  仓库库存编号：IXTQ220N055T-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 220A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ220N075T
  仓库库存编号：IXTQ220N075T-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 230A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ230N085T
  仓库库存编号：IXTQ230N085T-ND
  
  规格：供应商器件封装 TO-3P,
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