规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(104)
分立半导体产品
(104)
筛选品牌
Cree/Wolfspeed(2)
Infineon Technologies(102)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 100A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC26D60C6
仓库库存编号:
SIDC26D60C6-ND
别名:SP000015059
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 35A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC30D120E6
仓库库存编号:
SIDC30D120E6-ND
别名:SP000011946
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 35A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC30D120F6
仓库库存编号:
SIDC30D120F6-ND
别名:SP000014011
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC30D120H6
仓库库存编号:
SIDC30D120H6-ND
别名:SP000013211
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 75A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC30D60E6
仓库库存编号:
SIDC30D60E6-ND
别名:SP000011947
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC32D170H
仓库库存编号:
SIDC32D170H-ND
别名:SP000013977
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 150A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC38D60C6
仓库库存编号:
SIDC38D60C6-ND
别名:SP000015060
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC42D120E6
仓库库存编号:
SIDC42D120E6-ND
别名:SP000011948
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC42D120F6
仓库库存编号:
SIDC42D120F6-ND
别名:SP000014012
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 75A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC42D120H6
仓库库存编号:
SIDC42D120H6-ND
别名:SP000013212
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC42D170E6
仓库库存编号:
SIDC42D170E6-ND
别名:SP000013058
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 100A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC42D60E6
仓库库存编号:
SIDC42D60E6-ND
别名:SP000011949
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 75A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC46D170H
仓库库存编号:
SIDC46D170H-ND
别名:SP000013978
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 200A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC50D60C6
仓库库存编号:
SIDC50D60C6-ND
别名:SP000015058
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 100A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC53D120H6
仓库库存编号:
SIDC53D120H6-ND
别名:SP000013219
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 75A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC56D120E6
仓库库存编号:
SIDC56D120E6-ND
别名:SP000011950
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 75A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC56D120F6
仓库库存编号:
SIDC56D120F6-ND
别名:SP000014013
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 75A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC56D170E6
仓库库存编号:
SIDC56D170E6-ND
别名:SP000013059
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 150A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC56D60E6
仓库库存编号:
SIDC56D60E6-ND
别名:SP000011951
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 100A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC59D170H
仓库库存编号:
SIDC59D170H-ND
别名:SP000013979
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 100A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC73D170E6
仓库库存编号:
SIDC73D170E6-ND
别名:SP000013927
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 150A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC78D170H
仓库库存编号:
SIDC78D170H-ND
别名:SP000013980
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 100A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC81D120E6
仓库库存编号:
SIDC81D120E6-ND
别名:SP000011952
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 100A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC81D120F6
仓库库存编号:
SIDC81D120F6-ND
别名:SP000014014
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 150A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC81D120H6
仓库库存编号:
SIDC81D120H6-ND
别名:SP000013213
规格:供应商器件封装 带箔切割晶片,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号