规格:供应商器件封装 TO-252,
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY15P15T
仓库库存编号:
IXTY15P15T-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY26P10T
仓库库存编号:
IXTY26P10T-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 50V 48A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY48P05T
仓库库存编号:
IXTY48P05T-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 83W(Tc) TO-252
型号:
IXTY18P10T
仓库库存编号:
IXTY18P10T-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 5A TO-252
型号:
GB05SLT12-252
仓库库存编号:
1242-1129-ND
别名:1242-1129
GB05SLT12252
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 1200V 10A TO-252
型号:
GB10SLT12-252
仓库库存编号:
1242-1140-ND
别名:1242-1140
GB10SLT12252
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) TO-252
型号:
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117094
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6.7A(Ta) 42W(Ta) TO-252
型号:
FDD2512
仓库库存编号:
FDD2512-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.9A(Ta) 42W(Ta) TO-252
型号:
FDD2612
仓库库存编号:
FDD2612-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 10A(Ta) 3.4W(Ta),69W(Tc) TO-252
型号:
FDD3570
仓库库存编号:
FDD3570-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.7A(Ta) 3.2W(Ta),70W(Tc) TO-252
型号:
FDD2570
仓库库存编号:
FDD2570-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 65A(Ta) 3.2W(Ta),70W(Tc) TO-252
型号:
FDD6672A
仓库库存编号:
FDD6672A-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 250mA(Tc) 40W(Tc) TO-252
型号:
IXCY01N90E
仓库库存编号:
IXCY01N90E-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 50A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY50N085T
仓库库存编号:
IXTY50N085T-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 55A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY55N075T
仓库库存编号:
IXTY55N075T-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.8A(Tc) 89W(Tc) TO-252
型号:
IXTY5N50P
仓库库存编号:
IXTY5N50P-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY64N055T
仓库库存编号:
IXTY64N055T-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N04VUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N04VUG-E1-AYCT-ND
别名:NP90N04VUG-E1-AYCT
NP90N04VUGE1AY
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N06VLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N06VLG-E1-AYCT-ND
别名:NP90N06VLG-E1-AYCT
NP90N06VLGE1AY
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP60N04VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N04VUK-E1-AY-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N03VHG-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N03VHG-E1-AY-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N03VLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N03VLG-E1-AY-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.2W(Ta),147W(Tc) TO-252
型号:
NP90N04VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N04VUK-E1-AY-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 33W(Tc) TO-252
型号:
IXTY12N06TTRL
仓库库存编号:
IXTY12N06TTRLCT-ND
别名:IXTY12N06TTRLCT
规格:供应商器件封装 TO-252,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 10A TO252
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 10A TO-252
型号:
RJU60C3SDPD-E0#J2
仓库库存编号:
RJU60C3SDPD-E0#J2-ND
规格:供应商器件封装 TO-252,
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