规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSVBC114YPDXV6T1G
仓库库存编号:
NSVBC114YPDXV6T1G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSVBC123JPDXV6T1G
仓库库存编号:
NSVBC123JPDXV6T1G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSVBC124XPDXV6T1G
仓库库存编号:
NSVBC124XPDXV6T1G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSVBC143ZPDXV6T1G
仓库库存编号:
NSVBC143ZPDXV6T1G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSVBC143ZPDXV6T5G
仓库库存编号:
NSVBC143ZPDXV6T5G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
NSVBC144EPDXV6T1G
仓库库存编号:
NSVBC144EPDXV6T1G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-563
型号:
DEMD48-7
仓库库存编号:
DEMD48DICT-ND
别名:DEMD48DICT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号:
FMA11AT148
仓库库存编号:
FMA11AT148-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553
型号:
NSTB1002DXV5T1G
仓库库存编号:
NSTB1002DXV5T1G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
EMF18XV6T5G
仓库库存编号:
EMF18XV6T5G-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
型号:
DDTC143ZLP-7
仓库库存编号:
DDTC143ZLPDICT-ND
别名:DDTC143ZLP7
DDTC143ZLPDICT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
型号:
DDTA114YLP-7
仓库库存编号:
DDTA114YLP-7-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini5-G1
型号:
XP0121400L
仓库库存编号:
XP0121400LCT-ND
别名:XP0121400LCT
XP1214CT
XP1214CT-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
型号:
DMA561030R
仓库库存编号:
DMA561030RTR-ND
别名:DMA561030R-ND
DMA561030RTR
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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ON Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
EMF5XV6T5G
仓库库存编号:
EMF5XV6T5GOSTR-ND
别名:EMF5XV6T5G-ND
EMF5XV6T5GOSTR
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号:
EMF8T2R
仓库库存编号:
EMF8T2R-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 250MHz Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
型号:
DDTC144ELP-7
仓库库存编号:
DDTC144ELP-7-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353
型号:
UMC4N-7
仓库库存编号:
UMC4N-7DICT-ND
别名:UMC4N-7DICT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN1706JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1706JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1706JE(TE85LF)CT
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR192E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR192E6327HTSA1TR-ND
别名:BCR 192 E6327
BCR 192 E6327-ND
BCR192E6327XT
SP000010812
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号:
BCR185E6327HTSA1
仓库库存编号:
BCR185E6327HTSA1CT-ND
别名:BCR 185 E6327CT
BCR 185 E6327CT-ND
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR108WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR108WH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 108W H6327
BCR 108W H6327-ND
SP000750780
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR108WH6433XTMA1
仓库库存编号:
BCR108WH6433XTMA1TR-ND
别名:BCR 108W H6433
BCR 108W H6433-ND
SP000757882
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR116WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR116WH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 116W H6327
BCR 116W H6327-ND
BCR116WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000754072
规格:电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BCR135WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR135WH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 135W H6327
BCR 135W H6327-ND
BCR135WH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756252
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