规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号：
DTA115EEBTL
仓库库存编号：
DTA115EEBTL-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
型号：
DTA115GKAT146
仓库库存编号：
DTA115GKAT146-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
型号：
DDTA115EUA-7-F
仓库库存编号：
DDTA115EUA-FDICT-ND
别名：DDTA115EUA-FDICT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
型号：
DDTA115GUA-7-F
仓库库存编号：
DDTA115GUA-FDITR-ND
别名：DDTA115GUA-FDITR
DDTA115GUA7F
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
型号：
MUN2136T1G
仓库库存编号：
MUN2136T1G-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
型号：
MMUN2136LT1G
仓库库存编号：
MMUN2136LT1G-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
MMUN2236LT1G
仓库库存编号：
MMUN2236LT1G-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
型号：
DTA115EMT2L
仓库库存编号：
DTA115EMT2LCT-ND
别名：DTA115EMT2LCT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.202W SC70
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
型号：
NSVMUN5236T1G
仓库库存编号：
NSVMUN5236T1G-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMUN2236LT1G
仓库库存编号：
NSVMMUN2236LT1G-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
型号：
NSVDTA115EET1G
仓库库存编号：
NSVDTA115EET1G-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号：
PDTA115EU,115
仓库库存编号：
1727-3012-1-ND
别名：1727-3012-1
568-2110-1
568-2110-1-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 20mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMD24,115
仓库库存编号：
PUMD24,115-ND
别名：934058902115
PUMD24 T/R
PUMD24 T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 20mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMH24,115
仓库库存编号：
PUMH24,115-ND
别名：934057903115
PUMH24 T/R
PUMH24 T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
型号：
DDTA115EE-7-F
仓库库存编号：
DDTA115EE-7-F-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
型号：
DDTA115GE-7-F
仓库库存编号：
DDTA115GE-7-F-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 20mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
PUMB24,115
仓库库存编号：
PUMB24,115-ND
别名：934058906115
PUMB24 T/R
PUMB24 T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMH24,115
仓库库存编号：
PEMH24,115-ND
别名：934058935115
PEMH24 T/R
PEMH24 T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 20mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMD24,115
仓库库存编号：
PEMD24,115-ND
别名：934058926115
PEMD24 T/R
PEMD24 T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 20mA 300mW Surface Mount SOT-666
型号：
PEMB24,115
仓库库存编号：
PEMB24,115-ND
别名：934058917115
PEMB24 T/R
PEMB24 T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 180MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006B (0.6x1)
型号：
PDTA115EMB,315
仓库库存编号：
PDTA115EMB,315-ND
别名：934065934315
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 230MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006B (0.6x1)
型号：
PDTC115EMB,315
仓库库存编号：
PDTC115EMB,315-ND
别名：934065953315
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBA115EDXV6T1G
仓库库存编号：
NSBA115EDXV6T1GOSTR-ND
别名：NSBA115EDXV6T1G-ND
NSBA115EDXV6T1GOSTR
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
型号：
NSBC115EDXV6T1G
仓库库存编号：
NSBC115EDXV6T1GOSTR-ND
别名：NSBC115EDXV6T1G-ND
NSBC115EDXV6T1GOSTR
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA115EE,115
仓库库存编号：
568-2106-1-ND
别名：568-2106-1
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 100k,
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