规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR141SE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR141SE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 141S E6327
BCR 141S E6327-ND
BCR141SE6327XT
SP000012336
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 141T E6327
仓库库存编号：
BCR 141T E6327-ND
别名：BCR141TE6327XT
SP000012803
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR141WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR141WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 141W E6327
BCR 141W E6327-ND
BCR141WE6327
BCR141WE6327XT
SP000010773
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 146F E6327
仓库库存编号：
BCR 146F E6327-ND
别名：BCR146FE6327XT
SP000014443
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 146L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 146L3 E6327-ND
别名：BCR146L3E6327XT
SP000014860
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 146T E6327
仓库库存编号：
BCR 146T E6327-ND
别名：BCR146TE6327XT
SP000014776
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 191F E6327
仓库库存编号：
BCR 191F E6327-ND
别名：BCR191FE6327XT
SP000014065
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 191L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 191L3 E6327-ND
别名：BCR191L3E6327XT
SP000014875
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 191T E6327
仓库库存编号：
BCR 191T E6327-ND
别名：BCR191TE6327XT
SP000014789
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR191WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR191WE6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 191W E6327
BCR 191W E6327-ND
BCR191WE6327
SP000012275
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 196F E6327
仓库库存编号：
BCR 196F E6327-ND
别名：BCR196FE6327XT
SP000014449
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 196L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 196L3 E6327-ND
别名：BCR196L3E6327XT
SP000014877
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 196T E6327
仓库库存编号：
BCR 196T E6327-ND
别名：BCR196TE6327XT
SP000014765
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR196WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR196WE6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 196W E6327
BCR 196W E6327-ND
BCR196WE6327
BCR196WE6327XT
SP000018040
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR22PNE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR22PNE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 22PN E6327
BCR 22PN E6327-ND
BCR22PNE6327XT
SP000010826
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR22PNE6433HTMA1
仓库库存编号：
BCR22PNE6433HTMA1TR-ND
别名：BCR 22PN E6433
BCR 22PN E6433-ND
BCR22PNE6433XT
SP000010827
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA144WS,126
仓库库存编号：
PDTA144WS,126-ND
别名：934057565126
PDTA144WS AMO
PDTA144WS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 141S E6727
仓库库存编号：
BCR 141S E6727-ND
别名：SP000679398
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 141S H6727
仓库库存编号：
BCR 141S H6727-ND
别名：SP000756254
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BCR 22PN H6727
仓库库存编号：
BCR 22PN H6727-ND
别名：SP000766122
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
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