规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1969FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1969FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1969FE(TE85LF)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2963FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2963FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2963FE(TE85LF)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2969FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2969FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2969FE(TE85LF)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2908(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2908(T5LFT)CT-ND
别名：RN2908(T5LFT)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2909(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2909(T5LFT)CT-ND
别名：RN2909(T5LFT)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4903(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4903(T5LFT)CT-ND
别名：RN4903(T5LFT)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4909(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4909(T5LFT)CT-ND
别名：RN4909(T5LFT)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号：
RN1103CT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1103CT(TPL3)CT-ND
别名：RN1103CT(TPL3)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号：
RN1109CT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1109CT(TPL3)CT-ND
别名：RN1109CT(TPL3)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1103ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1103ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1103ACT(TPL3)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1109ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1109ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1109ACT(TPL3)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号：
RN2103CT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2103CT(TPL3)CT-ND
别名：RN2103CT(TPL3)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号：
RN2109CT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2109CT(TPL3)CT-ND
别名：RN2109CT(TPL3)CT
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC124EE,115
仓库库存编号：
568-11250-1-ND
别名：568-11250-1
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC124EE,115
仓库库存编号：
568-11250-6-ND
别名：568-11250-6
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号：
RN1109MFV,L3F
仓库库存编号：
RN1109MFVL3F-ND
别名：RN1109MFVL3F
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA124EE,115
仓库库存编号：
PDTA124EE,115-ND
别名：934051820115
PDTA124EE T/R
PDTA124EE T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124ES,126
仓库库存编号：
PDTA124ES,126-ND
别名：934047370126
PDTA124ES AMO
PDTA124ES AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA144WK,115
仓库库存编号：
PDTA144WK,115-ND
别名：934054807115
PDTA144WK T/R
PDTA144WK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC124EK,115
仓库库存编号：
PDTC124EK,115-ND
别名：934036800115
PDTC124EK T/R
PDTC124EK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124ES,126
仓库库存编号：
PDTC124ES,126-ND
别名：934047430126
PDTC124ES AMO
PDTC124ES AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC144WK,115
仓库库存编号：
PDTC144WK,115-ND
别名：934054808115
PDTC144WK T/R
PDTC144WK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144WS,126
仓库库存编号：
PDTC144WS,126-ND
别名：934057558126
PDTC144WS AMO
PDTC144WS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 141F E6327
仓库库存编号：
BCR 141F E6327-ND
别名：BCR141FE6327XT
SP000013049
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 141L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 141L3 E6327-ND
别名：BCR141L3E6327XT
SP000014858
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k,
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