规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTD123EK,115
仓库库存编号：
PDTD123EK,115-ND
别名：934058967115
PDTD123EK T/R
PDTD123EK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 103F E6327
仓库库存编号：
BCR 103F E6327-ND
别名：BCR103FE6327XT
SP000014847
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 103L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 103L3 E6327-ND
别名：BCR103L3E6327XT
SP000014756
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 103T E6327
仓库库存编号：
BCR 103T E6327-ND
别名：BCR103TE6327XT
SP000014757
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 153F E6327
仓库库存编号：
BCR 153F E6327-ND
别名：BCR153FE6327XT
SP000014444
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 153L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 153L3 E6327-ND
别名：BCR153L3E6327XT
SP000014866
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 153T E6327
仓库库存编号：
BCR 153T E6327-ND
别名：BCR153TE6327XT
SP000014764
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 503 B6327
仓库库存编号：
BCR 503 B6327-ND
别名：BCR503B6327XT
SP000056345
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PBRN123EK,115
仓库库存编号：
PBRN123EK,115-ND
别名：934058958115
PBRN123EK T/R
PBRN123EK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRN123ES,126
仓库库存编号：
PBRN123ES,126-ND
别名：934059134126
PBRN123ES AMO
PBRN123ES AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP123ES,126
仓库库存编号：
PBRP123ES,126-ND
别名：934059133126
PBRP123ES AMO
PBRP123ES AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA123ES,126
仓库库存编号：
PDTA123ES,126-ND
别名：934057559126
PDTA123ES AMO
PDTA123ES AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTB123EK,115
仓库库存编号：
PDTB123EK,115-ND
别名：934058966115
PDTB123EK T/R
PDTB123EK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123ES,126
仓库库存编号：
PDTC123ES,126-ND
别名：934057568126
PDTC123ES AMO
PDTC123ES AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR503E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR503E6393HTSA1-ND
别名：SP000010840
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 2.2k,
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