规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR169WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR169WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 169W E6327
BCR 169W E6327-ND
BCR169WE6327
SP000012271
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 179F E6327
仓库库存编号：
BCR 179F E6327-ND
别名：BCR179FE6327XT
SP000014791
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 179L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 179L3 E6327-ND
别名：BCR179L3E6327XT
SP000014872
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 179T E6327
仓库库存编号：
BCR 179T E6327-ND
别名：BCR179TE6327XT
SP000014768
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 189F E6327
仓库库存编号：
BCR 189F E6327-ND
别名：BCR189FE6327XT
SP000014448
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 189L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 189L3 E6327-ND
别名：BCR189L3E6327XT
SP000014874
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 189T E6327
仓库库存编号：
BCR 189T E6327-ND
别名：BCR189TE6327XT
SP000014818
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 199F E6327
仓库库存编号：
BCR 199F E6327-ND
别名：BCR199FE6327XT
SP000014879
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 199L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 199L3 E6327-ND
别名：BCR199L3E6327T
SP000014880
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 199T E6327
仓库库存编号：
BCR 199T E6327-ND
别名：BCR199TE6327XT
SP000014816
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 519 E6327
仓库库存编号：
BCR 519 E6327-ND
别名：BCR519E6327XT
SP000015052
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 569 E6327
仓库库存编号：
BCR 569 E6327-ND
别名：BCR569E6327XT
SP000015053
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA115TS,126
仓库库存编号：
PDTA115TS,126-ND
别名：934058778126
PDTA115TS AMO
PDTA115TS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA123TK,115
仓库库存编号：
PDTA123TK,115-ND
别名：934059944115
PDTA123TK T/R
PDTA123TK T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124TS,126
仓库库存编号：
PDTA124TS,126-ND
别名：934058153126
PDTA124TS AMO
PDTA124TS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143TS,126
仓库库存编号：
PDTA143TS,126-ND
别名：934057562126
PDTA143TS AMO
PDTA143TS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA144TS,126
仓库库存编号：
PDTA144TS,126-ND
别名：934058151126
PDTA144TS AMO
PDTA144TS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC115TS,126
仓库库存编号：
PDTC115TS,126-ND
别名：934058784126
PDTC115TS AMO
PDTC115TS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC123TE,115
仓库库存编号：
PDTC123TE,115-ND
别名：934059936115
PDTC123TE T/R
PDTC123TE T/R-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124TS,126
仓库库存编号：
PDTC124TS,126-ND
别名：934057570126
PDTC124TS AMO
PDTC124TS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143TS,126
仓库库存编号：
PDTC143TS,126-ND
别名：934057572126
PDTC143TS AMO
PDTC143TS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144TS,126
仓库库存编号：
PDTC144TS,126-ND
别名：934057575126
PDTC144TS AMO
PDTC144TS AMO-ND
规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -,
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