规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN1107CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1107CT(TPL3)CT-ND
别名:RN1107CT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN1111CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1111CT(TPL3)CT-ND
别名:RN1111CT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1102ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1102ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1102ACT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1111ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1111ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1111ACT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN2102CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2102CT(TPL3)CT-ND
别名:RN2102CT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN2107CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2107CT(TPL3)CT-ND
别名:RN2107CT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN2111CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2111CT(TPL3)CT-ND
别名:RN2111CT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2117(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2117(T5LFT)CT-ND
别名:RN2117(T5LFT)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2107ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2107ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2107ACT(TPL3)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN4902FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN4902FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN4902FE(TE85LF)CT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTA114EE,115
仓库库存编号:
568-11226-1-ND
别名:568-11226-1
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTA114EE,115
仓库库存编号:
568-11226-6-ND
别名:568-11226-6
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC114TE,115
仓库库存编号:
568-11055-1-ND
别名:568-11055-1
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC114TE,115
仓库库存编号:
568-11055-6-ND
别名:568-11055-6
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC114YE,115
仓库库存编号:
568-11056-1-ND
别名:568-11056-1
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC114YE,115
仓库库存编号:
568-11056-6-ND
别名:568-11056-6
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号:
UMF24NTR
仓库库存编号:
UMF24NTR-ND
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2902,LF
仓库库存编号:
RN2902LFCT-ND
别名:RN2902LFCT
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号:
RN2402S,LF(D
仓库库存编号:
RN2402SLF(D-ND
别名:RN2402SLF(D
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA114ES,126
仓库库存编号:
PDTA114ES,126-ND
别名:934047380126
PDTA114ES AMO
PDTA114ES AMO-ND
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA114TS,126
仓库库存编号:
PDTA114TS,126-ND
别名:934047390126
PDTA114TS AMO
PDTA114TS AMO-ND
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTA114YK,115
仓库库存编号:
PDTA114YK,115-ND
别名:934057557115
PDTA114YK T/R
PDTA114YK T/R-ND
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC114ES,126
仓库库存编号:
PDTC114ES,126-ND
别名:934047440126
PDTC114ES AMO
PDTC114ES AMO-ND
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号:
PDTC114TK,115
仓库库存编号:
PDTC114TK,115-ND
别名:934044070115
PDTC114TK T/R
PDTC114TK T/R-ND
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC114TS,126
仓库库存编号:
PDTC114TS,126-ND
别名:934047400126
PDTC114TS AMO
PDTC114TS AMO-ND
规格:电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k,
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