规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC CLOCK BUFFER MUX 2:2 24-TSSOP
详细描述：Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 450MHz 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
型号：
5T9302EJGI8
仓库库存编号：
5T9302EJGI8-ND
别名：IDT5T9302EJGI8
IDT5T9302EJGI8-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC CLK BUF DDR 233MHZ 1CIRC
型号：
93716BFLF
仓库库存编号：
93716BFLF-ND
别名：ICS93716BFLF
ICS93716BFLF-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC CLK BUF DDR 233MHZ 1CIRC
型号：
93716BFLFT
仓库库存编号：
93716BFLFT-ND
别名：ICS93716BFLFT
ICS93716BFLFT-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC CLK BUF DDR 233MHZ 48TVSOP
型号：
95VLP857ALT
仓库库存编号：
95VLP857ALT-ND
别名：ICS95VLP857ALT
ICS95VLP857ALT-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
含铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C16M16D1-5TCNTR
仓库库存编号：
AS4C16M16D1-5TCNTR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C16M16D1-5TINTR
仓库库存编号：
AS4C16M16D1-5TINTR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C32M16D1-5TCNTR
仓库库存编号：
AS4C32M16D1-5TCNTR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C32M16D1-5TINTR
仓库库存编号：
AS4C32M16D1-5TINTR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C4M16D1-5TCNTR
仓库库存编号：
AS4C4M16D1-5TCNTR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C4M16D1-5TINTR
仓库库存编号：
AS4C4M16D1-5TINTR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C8M16D1-5TCNTR
仓库库存编号：
AS4C8M16D1-5TCNTR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C8M16D1-5TINTR
仓库库存编号：
AS4C8M16D1-5TINTR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C16M16D1-5TIN
仓库库存编号：
1450-1143-5-ND
别名：1450-1143-5
AS4C16M16D1-5TIN-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C4M16D1-5TIN
仓库库存编号：
1450-1153-5-ND
别名：1450-1153-5
AS4C4M16D1-5TIN-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C8M16D1-5TIN
仓库库存编号：
1450-1160-5-ND
别名：1450-1160-5
AS4C8M16D1-5TIN-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Texas Instruments
IC TXRX 1.6-2.5GBPS 68CFP
详细描述：收发器 16/16
型号：
TLK2711HFG/EM
仓库库存编号：
TLK2711HFG/EM-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
不适用
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C4M16D1A-5TAN
仓库库存编号：
1450-1316-ND
别名：1450-1316
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C2M32D1-5TCN
仓库库存编号：
1450-1317-ND
别名：1450-1317
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C2M32D1-5TIN
仓库库存编号：
1450-1318-ND
别名：1450-1318
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 166MHz 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS42RM32200M-6BLI
仓库库存编号：
IS42RM32200M-6BLI-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
搜索
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 166MHz 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS42RM32200M-6BLI-TR
仓库库存编号：
IS42RM32200M-6BLI-TR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 133MHz 6ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS42RM32400H-75BI
仓库库存编号：
IS42RM32400H-75BI-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 133MHz 6ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS42RM32400H-75BI-TR
仓库库存编号：
IS42RM32400H-75BI-TR-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 143MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x13）
型号：
IS42RM16160D-7BL
仓库库存编号：
IS42RM16160D-7BL-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 54BGA
详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 143MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x13）
型号：
IS42RM16160D-7BLI
仓库库存编号：
IS42RM16160D-7BLI-ND
规格：电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V,
无铅
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