规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 18Mb （1M x 18） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C1163KV18-550BZC
仓库库存编号：
CY7C1163KV18-550BZC-ND
别名：CY7C1163KV18550BZC
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，DDR II+ 存储器 IC 18Mb （512K x 36） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C1170KV18-550BZC
仓库库存编号：
CY7C1170KV18-550BZC-ND
别名：CY7C1170KV18550BZC
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 18Mb （512K x 36） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C1165KV18-550BZXC
仓库库存编号：
CY7C1165KV18-550BZXC-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 36Mb （1M x 36） 并联 250MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C1414KV18-250BZC
仓库库存编号：
CY7C1414KV18-250BZC-ND
别名：CY7C1414KV18250BZC
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M36SJ-25 IT:B
仓库库存编号：
MT49H16M36SJ-25 IT:B-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 18Mb （1M x 18） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C2163KV18-550BZXI
仓库库存编号：
CY7C2163KV18-550BZXI-ND
别名：CY7C2163KV18550BZXI
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 36Mb （1M x 36） 并联 400MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C2265KV18-400BZXI
仓库库存编号：
CY7C2265KV18-400BZXI-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 533MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M36SJ-18:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M36SJ-18:B TR-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 533MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H32M18SJ-18:B TR
仓库库存编号：
MT49H32M18SJ-18:B TR-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 533MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M36SJ-18:B
仓库库存编号：
MT49H16M36SJ-18:B-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 533MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H32M18SJ-18:B
仓库库存编号：
MT49H32M18SJ-18:B-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，DDR II 存储器 IC 36Mb （2M x 18） 并联 300MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C1418KV18-300BZXC
仓库库存编号：
CY7C1418KV18-300BZXC-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，DDR II+ 存储器 IC 18Mb （1M x 18） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C1168KV18-550BZXC
仓库库存编号：
CY7C1168KV18-550BZXC-ND
别名：CY7C1168KV18550BZXC
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，DDR II+ 存储器 IC 18Mb （1M x 18） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C2168KV18-550BZC
仓库库存编号：
CY7C2168KV18-550BZC-ND
别名：CY7C2168KV18550BZC
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 550MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 18Mb （512K x 36） 并联 550MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C2165KV18-550BZXC
仓库库存编号：
CY7C2165KV18-550BZXC-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb （1G x 4） 并联 400MHz 400ps 63-FBGA（9x11.5）
型号：
MT47H1G4WTR-25E:C TR
仓库库存编号：
MT47H1G4WTR-25E:C TR-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 63BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb （1G x 4） 并联 400MHz 400ps 63-FBGA（9x11.5）
型号：
MT47H1G4WTR-25E:C
仓库库存编号：
MT47H1G4WTR-25E:C-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165FBGA
详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 36Mb （2M x 18） 并联 450MHz 165-FBGA（13x15）
型号：
CY7C1243KV18-450BZC
仓库库存编号：
CY7C1243KV18-450BZC-ND
别名：CY7C1243KV18450BZC
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 400MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H32M18CSJ-25E IT:B
仓库库存编号：
MT49H32M18CSJ-25E IT:B-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 400MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
仓库库存编号：
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 533MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H32M18CSJ-18:B TR
仓库库存编号：
MT49H32M18CSJ-18:B TR-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 533MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H32M18CSJ-18:B
仓库库存编号：
MT49H32M18CSJ-18:B-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 533MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 533MHz 15ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M36SJ-18 IT:B
仓库库存编号：
MT49H16M36SJ-18 IT:B-ND
规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V,
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