以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Winbond Electronics
  IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns
  
  型号：W29GL128PH9T TR
  仓库库存编号：W29GL128PH9T TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Winbond Electronics
  IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb （16M x 8，8M x 16） 并联 90ns
  
  型号：W29GL128PH9T
  仓库库存编号：W29GL128PH9T-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  IC FLASH 32GBIT 52MHZ 153WFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb （4G x 8） MMC 52MHz 153-WFBGA（11x10）
  
  型号：THGBMDG5D1LBAIT
  仓库库存编号：THGBMDG5D1LBAIT-ND
  别名：THGBMDG5D1LBAITH2J
  THGBMDG5D1LBAITJ2J
  THGBMDG5D1LBAITYMJ
  THGBMDG5D1LBAITYNJ
  THGBMDG5D1LBAITYXJ
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  IC FLASH 64GBIT 52MHZ 153WFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb （8G x 8） MMC 52MHz 153-WFBGA（11.5x13）
  
  型号：THGBMHG6C1LBAIL
  仓库库存编号：THGBMHG6C1LBAIL-ND
  别名：THGBMHG6C1LBAILALL
  THGBMHG6C1LBAILH2H
  THGBMHG6C1LBAILH2L
  THGBMHG6C1LBAILHLL
  THGBMHG6C1LBAILJ2H
  THGBMHG6C1LBAILJ2L
  THGBMHG6C1LBAILJLH
  THGBMHG6C1LBAILJLL
  THGBMHG6C1LBAILLLL
  THGBMHG6C1LBAILYGJ
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  IC FLASH 128GBIT 52MHZ 153BGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） MMC 52MHz 153-WFBGA（11.5x13）
  
  型号：THGBMHG7C1LBAIL
  仓库库存编号：THGBMHG7C1LBAIL-ND
  别名：THGBMHG7C1LBAILA2L
  THGBMHG7C1LBAILA4L
  THGBMHG7C1LBAILJ4H
  THGBMHG7C1LBAILJ4L
  THGBMHG7C1LBAILYFJ
  THGBMHG7C1LBAILYGJ
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  IC FLASH 256GBIT 52MHZ 153WFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb （32G x 8） MMC 52MHz 153-WFBGA（11.5x13）
  
  型号：THGBMHG8C2LBAIL
  仓库库存编号：THGBMHG8C2LBAIL-ND
  别名：THGBMHG8C2LBAILA4H
  THGBMHG8C2LBAILA4L
  THGBMHG8C2LBAILH4L
  THGBMHG8C2LBAILHJL
  THGBMHG8C2LBAILJ4L
  THGBMHG8C2LBAILJ4S
  THGBMHG8C2LBAILYFE
  THGBMHG8C2LBAILYFJ
  THGBMHG8C2LBAILYGE
  THGBMHG8C2LBAILYGJ
  THGBMHG8C2LBAILYHG
  THGBMHG8C2LBAILYHL
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  IC FLASH 512GBIT 52MHZ 153WFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） MMC 52MHz 153-WFBGA（11.5x13）
  
  型号：THGBMHG9C4LBAIR
  仓库库存编号：THGBMHG9C4LBAIR-ND
  别名：THGBMHG9C4LBAIRA43
  THGBMHG9C4LBAIRA4H
  THGBMHG9C4LBAIRA4L
  THGBMHG9C4LBAIRAPL
  THGBMHG9C4LBAIRH4H
  THGBMHG9C4LBAIRH4L
  THGBMHG9C4LBAIRHJL
  THGBMHG9C4LBAIRHLL
  THGBMHG9C4LBAIRJ4L
  THGBMHG9C4LBAIRJ4S
  THGBMHG9C4LBAIRYFE
  THGBMHG9C4LBAIRYFJ
  THGBMHG9C4LBAIRYGE
  THGBMHG9C4LBAIRYGJ
  THGBMHG9C4LBAIRYHG
  THGBMHG9C4LBAIRYHL
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 32STSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 45ns 32-sTSOP
  
  型号：RMLV0408EGSA-4S2#AA1
  仓库库存编号：RMLV0408EGSA-4S2#AA1-ND
  别名：RMLV0408EGSA4S2AA1
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 32STSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 45ns 32-sTSOP
  
  型号：RMLV0408EGSA-4S2#KA1
  仓库库存编号：RMLV0408EGSA-4S2#KA1-ND
  别名：RMLV0408EGSA4S2KA1
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 32TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 45ns 32-TSOP II
  
  型号：RMLV0408EGSB-4S2#AA1
  仓库库存编号：RMLV0408EGSB-4S2#AA1-ND
  别名：RMLV0408EGSB4S2AA1
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 32TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 45ns 32-TSOP II
  
  型号：RMLV0408EGSB-4S2#HA1
  仓库库存编号：RMLV0408EGSB-4S2#HA1-ND
  别名：RMLV0408EGSB4S2HA1
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 44-TSOP II
  
  型号：RMLV0414EGSB-4S2#AA1
  仓库库存编号：RMLV0414EGSB-4S2#AA1-ND
  别名：RMLV0414EGSB4S2AA1
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 44-TSOP II
  
  型号：RMLV0414EGSB-4S2#HA1
  仓库库存编号：RMLV0414EGSB-4S2#HA1-ND
  别名：RMLV0414EGSB4S2HA1
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 44-TSOP2
  
  型号：RMLV0416EGSB-4S2#AA1
  仓库库存编号：RMLV0416EGSB-4S2#AA1-ND
  别名：RMLV0416EGSB4S2AA1
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 44-TSOP2
  
  型号：RMLV0416EGSB-4S2#HA1
  仓库库存编号：RMLV0416EGSB-4S2#HA1-ND
  别名：RMLV0416EGSB4S2HA1
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Winbond Electronics
  IC FLASH 64MBIT 104MHZ 8SOIC
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb （8M x 8） SPI 104MHz 8-SOIC
  
  型号：W25Q64FVSSIG TR
  仓库库存编号：W25Q64FVSSIG CT-ND
  别名：W25Q64FVSSIG CT
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 132VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 132-VBGA（12x18）
  
  型号：MT29E128G08CECDBJ4-6:D
  仓库库存编号：MT29E128G08CECDBJ4-6:D-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 256GBIT 167MHZ 132TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb （32G x 8） 并联 167MHz 132-TBGA（12x18）
  
  型号：MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
  仓库库存编号：MT29E256G08CMCDBJ5-6:D-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 167MHz
  
  型号：MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
  仓库库存编号：MT29E512G08CUCDBJ6-6:D-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 32GBIT 153WFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb （4G x 8） MMC
  
  型号：MTFC4GMDEA-4M IT
  仓库库存编号：MTFC4GMDEA-4M IT-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联
  
  型号：MT29F128G08CFABAWP-IT:B
  仓库库存编号：MT29F128G08CFABAWP-IT:B-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 256GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb （32G x 8） 并联
  
  型号：MT29F256G08CJABAWP-IT:B
  仓库库存编号：MT29F256G08CJABAWP-IT:B-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 100MHZ 100LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 100MHz
  
  型号：MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A
  仓库库存编号：MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512MBIT 133MHZ 24TBGA
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） SPI 133MHz 24-T-PBGA（6x8）
  
  型号：MT25QL512ABA8E12-0SIT TR
  仓库库存编号：MT25QL512ABA8E12-0SIT TR-ND
  别名：MT25QL512ABA8E12-0SIT
  MT25QL512ABA8E12-0SIT-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512MBIT 133MHZ 16SO
  详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） SPI 133MHz 16-SOP2
  
  型号：MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR
  仓库库存编号：MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR-ND
  别名：MT25QL512ABA8ESF-0SIT
  MT25QL512ABA8ESF-0SIT-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
• 
  
  无铅
• 搜索