规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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Winbond Electronics
IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8WSON
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb (2M x 8) SPI 104MHz 8-WSON(6x5)
型号:
W25Q16DVZPIQ TR
仓库库存编号:
W25Q16DVZPIQ TR-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 32MBIT 104MHZ 24TFBGA
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb (4M x 8) SPI 104MHz 24-TFBGA(6x8)
型号:
W25Q32FVTCIG TR
仓库库存编号:
W25Q32FVTCIG TR-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 32MBIT 104MHZ 24TFBGA
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb (4M x 8) SPI 104MHz 24-TFBGA(6x8)
型号:
W25Q32FVTCIP TR
仓库库存编号:
W25Q32FVTCIP TR-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 32MBIT 104MHZ 8WSON
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb (4M x 8) SPI 104MHz 8-WSON(8x6)
型号:
W25Q32FVZEIG TR
仓库库存编号:
W25Q32FVZEIG TR-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 32MBIT 104MHZ 8WSON
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb (4M x 8) SPI 104MHz 8-WSON(6x5)
型号:
W25Q32FVZPIQ TR
仓库库存编号:
W25Q32FVZPIQ TR-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 64MBIT 104MHZ 8WSON
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb (8M x 8) SPI 104MHz 8-WSON(8x6)
型号:
W25Q64FVZEIG TR
仓库库存编号:
W25Q64FVZEIG TR-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32MBIT 108MHZ 8UPDFN
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb (8M x 4) SPI 108MHz 8-U-PDFN(4x3)
型号:
N25Q032A13EF440F TR
仓库库存编号:
557-1637-1-ND
别名:557-1637-1
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Renesas Electronics America
IC SRAM 1MBIT 55NS 32SOP
详细描述:SRAM 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 55ns 32-SOP
型号:
R1LV0108ESN-5SI#S0
仓库库存编号:
R1LV0108ESN-5SI#S0-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb (4M x 8,2M x 16) 并联 70ns 48-TSOP
型号:
IS29LV032T-70TLI
仓库库存编号:
706-1352-ND
别名:706-1352
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Renesas Electronics America
IC SRAM 32MBIT 55NS 48TSOP
详细描述:SRAM 存储器 IC 32Mb (4M x 8,2M x 16) 并联 55ns 48-TSOP I
型号:
R1LV3216RSA-5SI#B0
仓库库存编号:
R1LV3216RSA-5SI#B0-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8SO
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 4Mb (512K x 8) SPI 85MHz 8-SO
型号:
S25FL204K0TMFI043
仓库库存编号:
1274-1171-1-ND
别名:1274-1171-1
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 25ns 67-VFBGA(6.5x8)
型号:
TC58BVG1S3HBAI6
仓库库存编号:
TC58BVG1S3HBAI6-ND
别名:TC58BVG1S3HBAI6JDH
TC58BVG1S3HBAI6YCL
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58NVG0S3HTAI0
仓库库存编号:
TC58NVG0S3HTAI0-ND
别名:TC58NVG0S3HTAI0B4H
TC58NVG0S3HTAI0YCJ
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58NVG1S3HTA00
仓库库存编号:
TC58NVG1S3HTA00-ND
别名:TC58NVG1S3HTA00B4H
TC58NVG1S3HTA00Y0J
TC58NVG1S3HTA00YCJ
TC58NVG1S3HTA00YCL
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63TFBGA
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 63-TFBGA(9x11)
型号:
TC58NVG2S0HBAI4
仓库库存编号:
TC58NVG2S0HBAI4-ND
别名:TC58NVG2S0HBAI4JDH
TC58NVG2S0HBAI4YCL
TC58NVG2S0HBIAJDH
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TC58NVG2S0HTAI0
仓库库存编号:
TC58NVG2S0HTAI0-ND
别名:TC58NVG2OHTAIOB4H
TC58NVG2S0HTAI0B4H
TC58NVG2S0HTAI0Y0L
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 8Gb (1G x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TH58BVG3S0HTA00
仓库库存编号:
TH58BVG3S0HTA00-ND
别名:TH58BVG3S0HTA00B4H
TH58BVG3S0HTA00YCJ
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TH58NVG2S3HTAI0
仓库库存编号:
TH58NVG2S3HTAI0-ND
别名:TH58NVG2S3HTAI0B4H
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 8Gb (1G x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TH58NVG3S0HTA00
仓库库存编号:
TH58NVG3S0HTA00-ND
别名:TH58NVG3S0HTA00B4H
TH58NVG3S0HTA00YCJ
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP
详细描述:EEPROM - NAND 存储器 IC 8Gb (1G x 8) 并联 25ns 48-TSOP I
型号:
TH58NVG3S0HTAI0
仓库库存编号:
TH58NVG3S0HTAI0-ND
别名:TH58NVG3S0HTAI0B4H
TH58NVG3S0HTAI0YCJ
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 100VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) 并联 100MHz 100-VBGA(12x18)
型号:
MT29F128G08CECBBH1-10:B
仓库库存编号:
MT29F128G08CECBBH1-10:B-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 100TBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) 并联 83MHz 100-TBGA(12x18)
型号:
MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C
仓库库存编号:
MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256GBIT 167MHZ 132LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 256Gb (32G x 8) 并联 166MHz 132-LBGA(12x18)
型号:
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D
仓库库存编号:
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 167MHZ 132LBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) 并联 166MHz 132-LBGA(12x18)
型号:
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D
仓库库存编号:
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 64GBIT 167MHZ 132VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb (8G x 8) 并联 166MHz 132-VBGA(12x18)
型号:
MT29F64G08AECDBJ4-6:D
仓库库存编号:
MT29F64G08AECDBJ4-6:D-ND
规格:电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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