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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 32STSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 45ns 32-sTSOP
  
  型号：RMLV0408EGSA-4S2#KA0
  仓库库存编号：RMLV0408EGSA-4S2#KA0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 32TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 45ns 32-TSOP II
  
  型号：RMLV0408EGSB-4S2#AA0
  仓库库存编号：RMLV0408EGSB-4S2#AA0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 32TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 45ns 32-TSOP II
  
  型号：RMLV0408EGSB-4S2#HA0
  仓库库存编号：RMLV0408EGSB-4S2#HA0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 32SOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 45ns 32-SOP
  
  型号：RMLV0408EGSP-4S2#HA0
  仓库库存编号：RMLV0408EGSP-4S2#HA0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 44-TSOP II
  
  型号：RMLV0414EGSB-4S2#HA0
  仓库库存编号：RMLV0414EGSB-4S2#HA0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 48FBGA
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 48-FBGA（7.5x8.5）
  
  型号：RMLV0416EGBG-4S2#AC0
  仓库库存编号：RMLV0416EGBG-4S2#AC0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 48FBGA
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 48-FBGA（7.5x8.5）
  
  型号：RMLV0416EGBG-4S2#KC0
  仓库库存编号：RMLV0416EGBG-4S2#KC0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 44-TSOP2
  
  型号：RMLV0416EGSB-4S2#AA0
  仓库库存编号：RMLV0416EGSB-4S2#AA0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II
  详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 45ns 44-TSOP2
  
  型号：RMLV0416EGSB-4S2#HA0
  仓库库存编号：RMLV0416EGSB-4S2#HA0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 132VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz
  
  型号：MT29E128G08CECABJ1-10Z:A
  仓库库存编号：MT29E128G08CECABJ1-10Z:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 132VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz
  
  型号：MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR
  仓库库存编号：MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 100TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz 100-TBGA（12x18）
  
  型号：MT29F128G08AKCABH2-10:A
  仓库库存编号：MT29F128G08AKCABH2-10:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 100TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz 100-TBGA（12x18）
  
  型号：MT29F128G08AKCABH2-10:A TR
  仓库库存编号：MT29F128G08AKCABH2-10:A TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 152VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 83MHz
  
  型号：MT29F128G08CBEABH6-12:A
  仓库库存编号：MT29F128G08CBEABH6-12:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 152VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 83MHz
  
  型号：MT29F128G08CBEABH6-12:A TR
  仓库库存编号：MT29F128G08CBEABH6-12:A TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT WAFER
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联
  
  型号：MT29F128G08CBEABL85A3WC1
  仓库库存编号：MT29F128G08CBEABL85A3WC1-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 100VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz 100-VBGA（12x18）
  
  型号：MT29F128G08CECABH1-10Z:A
  仓库库存编号：MT29F128G08CECABH1-10Z:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 100VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 83MHz 100-VBGA（12x18）
  
  型号：MT29F128G08CECABH1-12Z:A
  仓库库存编号：MT29F128G08CECABH1-12Z:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 16GBIT WAFER
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 模具
  
  型号：MT29F16G08ABABAM62B3WC1
  仓库库存编号：MT29F16G08ABABAM62B3WC1-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 16GBIT 100VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 100MHz 100-VBGA（12x18）
  
  型号：MT29F16G08ABCCBH1-10:C
  仓库库存编号：MT29F16G08ABCCBH1-10:C-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 16GBIT 100VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 100MHz 100-VBGA（12x18）
  
  型号：MT29F16G08ABCCBH1-10:C TR
  仓库库存编号：MT29F16G08ABCCBH1-10:C TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 16GBIT WAFER
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 模具
  
  型号：MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR
  仓库库存编号：MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Tb （128G x 8） 并联 166MHz
  
  型号：MT29F1T08CPCABH8-6:A
  仓库库存编号：MT29F1T08CPCABH8-6:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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  IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Tb （128G x 8） 并联 166MHz
  
  型号：MT29F1T08CUCABH8-6:A
  仓库库存编号：MT29F1T08CUCABH8-6:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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  IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Tb （128G x 8） 并联 166MHz
  
  型号：MT29F1T08CUCABH8-6:A TR
  仓库库存编号：MT29F1T08CUCABH8-6:A TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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