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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 167MHz
  
  型号：MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
  仓库库存编号：MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 167MHz
  
  型号：MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR
  仓库库存编号：MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 167MHz
  
  型号：MT29E512G08CMCCBH7-6:C
  仓库库存编号：MT29E512G08CMCCBH7-6:C-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 32MBIT 70NS 48TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 32Mb （4M x 8，2M x 16） 并联 70ns 48-TSOP
  
  型号：R1LV3216RSA-7SI#B0
  仓库库存编号：R1LV3216RSA-7SI#B0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 32MBIT 70NS 52TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 32Mb （4M x 8，2M x 16） 并联 70ns 52-TSOP II
  
  型号：R1LV3216RSD-7SI#B0
  仓库库存编号：R1LV3216RSD-7SI#B0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 32MBIT 55NS 48TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 32Mb （4M x 8，2M x 16） 并联 55ns 48-TSOP I
  
  型号：R1LV3216RSA-5SR#B0
  仓库库存编号：R1LV3216RSA-5SR#B0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 32MBIT 70NS 48TSOP
  详细描述：SRAM 存储器 IC 32Mb （4M x 8，2M x 16） 并联 70ns 48-TSOP I
  
  型号：R1LV3216RSA-7SR#B0
  仓库库存编号：R1LV3216RSA-7SR#B0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Renesas Electronics America
  IC SRAM 32MBIT 70NS 48FBGA
  详细描述：SRAM 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 70ns 48-FBGA（7.5x8.5）
  
  型号：R1WV3216RBG-7SR#B0
  仓库库存编号：R1WV3216RBG-7SR#B0-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 64GBIT 100MHZ 132VBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 64Gb （8G x 8） 并联 100MHz
  
  型号：MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A
  仓库库存编号：MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 166MHz
  
  型号：MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C
  仓库库存编号：MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC NVSRAM 16MBIT 25NS 54TSOP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 25ns 54-TSOP II
  
  型号：CY14B116N-ZSP25XIT
  仓库库存编号：CY14B116N-ZSP25XIT-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC NVSRAM 16MBIT 25NS 165BGA
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 25ns 165-FBGA（15x17）
  
  型号：CY14B116N-BZ25XI
  仓库库存编号：CY14B116N-BZ25XI-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 166MHz 132-LBGA（12x18）
  
  型号：MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D
  仓库库存编号：MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 166MHz
  
  型号：MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
  仓库库存编号：MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Tb （128G x 8） 并联 166MHz
  
  型号：MT29F1T08CPCABH8-6:A TR
  仓库库存编号：MT29F1T08CPCABH8-6:A TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 100MHZ 100LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 100MHz 100-LBGA（12x18）
  
  型号：MT29F512G08CUCABH3-10Z:A
  仓库库存编号：MT29F512G08CUCABH3-10Z:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 100MHZ 100LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 100MHz 100-LBGA（12x18）
  
  型号：MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR
  仓库库存编号：MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 48-TSOP
  
  型号：MT29F128G08AJAAAWP-Z:A TR
  仓库库存编号：MT29F128G08AJAAAWP-Z:A TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 100TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz 100-TBGA（12x18）
  
  型号：MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR
  仓库库存编号：MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 100TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz 100-TBGA（12x18）
  
  型号：MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR
  仓库库存编号：MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 48TSOP
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 48-TSOP
  
  型号：MT29F128G08AJAAAWP-Z:A
  仓库库存编号：MT29F128G08AJAAAWP-Z:A-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 100TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz 100-TBGA（12x18）
  
  型号：MT29F128G08AKCABH2-10Z:A
  仓库库存编号：MT29F128G08AKCABH2-10Z:A-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 128GBIT 100TBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb （16G x 8） 并联 100MHz 100-TBGA（12x18）
  
  型号：MT29F128G08AMCABH2-10Z:A
  仓库库存编号：MT29F128G08AMCABH2-10Z:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 512GBIT 100MHZ 100LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 100MHz 100-LBGA（12x18）
  
  型号：MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A TR
  仓库库存编号：MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A TR-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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  IC FLASH 512GBIT 100MHZ 100LBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 512Gb （64G x 8） 并联 100MHz 100-LBGA（12x18）
  
  型号：MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A
  仓库库存编号：MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A-ND
  
  规格：电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V,
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