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Rohm Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
型号：
IMD9AT108
仓库库存编号：
IMD9AT108CT-ND
别名：IMD9AT108CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMD6T2R
仓库库存编号：
EMD6T2RCT-ND
别名：EMD6T2RCT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMD9T2R
仓库库存编号：
EMD9T2RCT-ND
别名：EMD9T2RCT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
型号：
EMH3T2R
仓库库存编号：
EMH3T2RCT-ND
别名：EMH3T2RCT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1506(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1506(TE85LF)CT-ND
别名：RN1506(TE85LF)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1505(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1505(TE85LF)CT-ND
别名：RN1505(TE85LF)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1965(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1965(TE85LF)CT-ND
别名：RN1965(TE85LF)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号：
RN1703JE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1703JE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1703JE(TE85LF)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
型号：
DTC143ZUBTL
仓库库存编号：
DTC143ZUBTLCT-ND
别名：DTC143ZUBTLCT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
型号：
RN2310,LF
仓库库存编号：
RN2310LFCT-ND
别名：RN2310LFCT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
型号：
DTA114YUBTL
仓库库存编号：
DTA114YUBTLCT-ND
别名：DTA114YUBTLCT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
型号：
DTC114YUBTL
仓库库存编号：
DTC114YUBTLCT-ND
别名：DTC114YUBTLCT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号：
DTA115ECAT116
仓库库存编号：
DTA115ECAT116CT-ND
别名：DTA115ECAT116CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 100mA 200mW Surface Mount SST3
型号：
DTA123JCAT116
仓库库存编号：
DTA123JCAT116CT-ND
别名：DTA123JCAT116CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号：
DTA143ZCAT116
仓库库存编号：
DTA143ZCAT116CT-ND
别名：DTA143ZCAT116CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
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Rohm Semiconductor
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号：
DTA143TCAT116
仓库库存编号：
DTA143TCAT116CT-ND
别名：DTA143TCAT116CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
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Rohm Semiconductor
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号：
DTC115ECAT116
仓库库存编号：
DTC115ECAT116CT-ND
别名：DTC115ECAT116CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
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Rohm Semiconductor
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号：
DTC143TCAT116
仓库库存编号：
DTC143TCAT116CT-ND
别名：DTC143TCAT116CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
型号：
DDTA122TU-7-F
仓库库存编号：
DDTA122TU-FDICT-ND
别名：DDTA122TU-FDICT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
型号：
RN1303(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1303(TE85LF)CT-ND
别名：RN1303(TE85LF)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1113(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1113(T5LFT)CT-ND
别名：RN1113(T5LFT)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4988(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4988(T5LFT)CT-ND
别名：RN4988(T5LFT)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4990(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4990(T5LFT)CT-ND
别名：RN4990(T5LFT)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4991(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4991(T5LFT)CT-ND
别名：RN4991(T5LFT)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1908FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1908FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1908FE(TE85LF)CT
规格：不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA,
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