规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
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STMicroelectronics
TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 125V 100A 250W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
BUT30V
仓库库存编号:
497-7212-5-ND
别名:497-7212-5
BUT30V-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 1000V 50A ISOTOP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Emitter Switched Bipolar 1000V 50A 400W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
STE50DE100
仓库库存编号:
497-3567-5-ND
别名:497-3567-5
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
搜索
TT Electronics/Optek Technology
TRANS NPN SMT
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN Surface Mount 4-SMD
型号:
HCT2222A
仓库库存编号:
HCT2222A-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 80V 7A TO-66
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 7A 40W Through Hole TO-66
型号:
2N5427
仓库库存编号:
2N5427-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP TO-5
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Through Hole TO-5
型号:
2N3778
仓库库存编号:
2N3778-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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Analog Devices Inc.
TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 36V 20mA 190MHz 500mW Through Hole TO-78-6
型号:
MAT03EHZ
仓库库存编号:
MAT03EHZ-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
搜索
TT Electronics/Optek Technology
TRANS NPN SMT
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN Surface Mount 4-SMD
型号:
HCT2222ATXV
仓库库存编号:
HCT2222ATXV-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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IXYS
IGBT MODULE CBI MINIPACK2
详细描述:IGBT Module NPT 1600V 40A Chassis Mount MiniPack2
型号:
MITA30WB600TMH
仓库库存编号:
MITA30WB600TMH-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
详细描述:IGBT Module Through Hole IMS-2
型号:
VS-CPV362M4KPBF
仓库库存编号:
VS-CPV362M4KPBF-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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IXYS
IGBT 200A 1600V SOT-227B
详细描述:IGBT Module Single 1600V 200A Chassis Mount SOT-227B
型号:
IXGN100N160A
仓库库存编号:
IXGN100N160A-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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TT Electronics/Optek Technology
TRANS NPN SMT
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN Surface Mount 4-SMD
型号:
HCT2222ATX
仓库库存编号:
HCT2222ATX-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 275V 5A TO-66
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 275V 5A 50W Through Hole TO-66
型号:
2N6234
仓库库存编号:
2N6234-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
详细描述:IGBT Module Through Hole IMS-2
型号:
VS-CPV363M4FPBF
仓库库存编号:
VS-CPV363M4FPBF-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA Through Hole TO-78-6
型号:
JANTXV2N2920
仓库库存编号:
1086-15601-ND
别名:1086-15601-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 400V 15A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 15A 175W Through Hole TO-204AA (TO-3)
型号:
JANTX2N6547
仓库库存编号:
1086-21120-ND
别名:1086-21120
1086-21120-MIL
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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IXYS
IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK
详细描述:IGBT Module Full Bridge Inverter 600V Chassis Mount E2
型号:
MKI65-06A7T
仓库库存编号:
MKI65-06A7T-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 300V 8A TO-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 8A 150W Through Hole TO-3
型号:
2N6671
仓库库存编号:
2N6671-ND
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD IGBT 20A 500V MTP
详细描述:IGBT Module
型号:
VS-20MT050XC
仓库库存编号:
VS-20MT050XC-ND
别名:VS20MT050XC
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR141SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR141SH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 141S H6327
BCR 141S H6327-ND
BCR141SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000756256
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR08PNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR08PNH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 08PN H6327
BCR 08PN H6327-ND
SP000750766
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR08PNH6433XTMA1
仓库库存编号:
BCR08PNH6433XTMA1TR-ND
别名:BCR 08PN H6433
BCR 08PN H6433-ND
SP000750770
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR08PNH6727XTSA1
仓库库存编号:
BCR08PNH6727XTSA1TR-ND
别名:BCR 08PN H6727
BCR 08PN H6727-ND
SP000750772
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR108SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR108SH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 108S H6327
BCR 108S H6327-ND
SP000750774
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR116SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR116SH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 116S H6327
BCR 116S H6327-ND
BCR116SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000752050
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BCR119SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BCR119SH6327XTSA1TR-ND
别名:BCR 119S H6327
BCR 119S H6327-ND
BCR119SH6327XTSA1TR-NDTR-ND
SP000754074
规格:电流 - 集电极截止(最大值) -,
无铅
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