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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1680(T6DNSO,F,M
  仓库库存编号：2SA1680(T6DNSOFM-ND
  别名：2SA1680(T6DNSOFM
  2SA1680T6DNSOFM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1680,F(J
  仓库库存编号：2SA1680F(J-ND
  别名：2SA1680F(J
  2SA1680FJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1680,T6ASTIF(J
  仓库库存编号：2SA1680T6ASTIF(J-ND
  别名：2SA1680T6ASTIF(J
  2SA1680T6ASTIFJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1680,T6F(J
  仓库库存编号：2SA1680T6F(J-ND
  别名：2SA1680T6F(J
  2SA1680T6FJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1680,T6SCMDF(J
  仓库库存编号：2SA1680T6SCMDF(J-ND
  别名：2SA1680T6SCMDF(J
  2SA1680T6SCMDFJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 3A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1761,F(J
  仓库库存编号：2SA1761F(J-ND
  别名：2SA1761F(J
  2SA1761FJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 3A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1761,T6F(J
  仓库库存编号：2SA1761T6F(J-ND
  别名：2SA1761T6F(J
  2SA1761T6FJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 3A 50V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1761,T6F(M
  仓库库存编号：2SA1761T6F(M-ND
  别名：2SA1761T6F(M
  2SA1761T6FM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 500MA 400V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 500mA 35MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1972,F(J
  仓库库存编号：2SA1972F(J-ND
  别名：2SA1972F(J
  2SA1972FJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 500MA 400V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 500mA 35MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA1972,T6WNLF(J
  仓库库存编号：2SA1972T6WNLF(J-ND
  别名：2SA1972T6WNLF(J
  2SA1972T6WNLFJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-O(TE6,F,M)
  仓库库存编号：2SA965-O(TE6FM)-ND
  别名：2SA965-O(TE6FM)
  2SA965OTE6FM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-O,F(J
  仓库库存编号：2SA965-OF(J-ND
  别名：2SA965-OF(J
  2SA965OFJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y(F,M)
  仓库库存编号：2SA965-Y(FM)-ND
  别名：2SA965-Y(FM)
  2SA965YFM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y(T6CANO,FM
  仓库库存编号：2SA965-Y(T6CANOFM-ND
  别名：2SA965-Y(T6CANOFM
  2SA965YT6CANOFM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y,F(J
  仓库库存编号：2SA965-YF(J-ND
  别名：2SA965-YF(J
  2SA965YFJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y,SWFF(M
  仓库库存编号：2SA965-YSWFF(M-ND
  别名：2SA965-YSWFF(M
  2SA965YSWFFM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y,T6F(J
  仓库库存编号：2SA965-YT6F(J-ND
  别名：2SA965-YT6F(J
  2SA965YT6FJ
  
  规格：Power - Max 900mW,
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  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y,T6KOJPF(J
  仓库库存编号：2SA965-YT6KOJPF(J-ND
  别名：2SA965-YT6KOJPF(J
  2SA965YT6KOJPFJ
  
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  TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SB1457(T6CANO,F,M
  仓库库存编号：2SB1457(T6CANOFM-ND
  别名：2SB1457(T6CANOFM
  2SB1457T6CANOFM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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  TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SB1457(T6CNO,A,F)
  仓库库存编号：2SB1457(T6CNOAF)-ND
  别名：2SB1457(T6CNOAF)
  2SB1457T6CNOAF
  
  规格：Power - Max 900mW,
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  TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SB1457(T6DW,F,M)
  仓库库存编号：2SB1457(T6DWFM)-ND
  别名：2SB1457(T6DWFM)
  2SB1457T6DWFM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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  TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SB1457(TE6,F,M)
  仓库库存编号：2SB1457(TE6FM)-ND
  别名：2SB1457(TE6FM)
  2SB1457TE6FM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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  TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SB1457,T6TOTOF(J
  仓库库存编号：2SB1457T6TOTOF(J-ND
  别名：2SB1457T6TOTOF(J
  2SB1457T6TOTOFJ
  
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  TRANS PNP 2A 100V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SB1457,T6YMEF(M
  仓库库存编号：2SB1457T6YMEF(M-ND
  别名：2SB1457T6YMEF(M
  2SB1457T6YMEFM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2235(T6KMAT,F,M
  仓库库存编号：2SC2235(T6KMATFM-ND
  别名：2SC2235(T6KMATFM
  2SC2235T6KMATFM
  
  规格：Power - Max 900mW,
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