规格：Power - Max 500mW,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 10.78V, 500MW, 2.6
详细描述：Zener Diode 10.78V 500mW ±2.6% Through Hole DO-34
型号：
MTZJ11B R0G
仓库库存编号：
MTZJ11B R0G-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 17.26V, 500MW, 2.5
详细描述：Zener Diode 17.26V 500mW ±2.5% Through Hole DO-34
型号：
MTZJ18B R0G
仓库库存编号：
MTZJ18B R0G-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, ZENER, 7.04V, 500MW, 2.7%
详细描述：Zener Diode 7.04V 500mW ±2.7% Through Hole DO-34
型号：
MTZJ7V5A R0G
仓库库存编号：
MTZJ7V5A R0G-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 25V 0.025A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 25mA 550MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
BF199,112
仓库库存编号：
BF199,112-ND
别名：933063420112
BF199P
BF199P-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 100mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
BF370,112
仓库库存编号：
BF370,112-ND
别名：933544720112
BF370
BF370-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 125MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA14,116
仓库库存编号：
MPSA14,116-ND
别名：933288350116
MPSA14 T/R
MPSA14 T/R-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 300V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA42,412
仓库库存编号：
MPSA42,412-ND
别名：933274320412
MPSA42
MPSA42-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 300V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA42,126
仓库库存编号：
MPSA42,126-ND
别名：933274320126
MPSA42 AMO
MPSA42 AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 300V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA42,116
仓库库存编号：
MPSA42,116-ND
别名：933274320116
MPSA42 T/R
MPSA42 T/R-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 200V 0.1A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA43,116
仓库库存编号：
MPSA43,116-ND
别名：933535470116
MPSA43 T/R
MPSA43 T/R-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT54
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 125MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
MPSA64,116
仓库库存编号：
MPSA64,116-ND
别名：933601380116
MPSA64 T/R
MPSA64 T/R-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114ES,126
仓库库存编号：
PDTA114ES,126-ND
别名：934047380126
PDTA114ES AMO
PDTA114ES AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114TS,126
仓库库存编号：
PDTA114TS,126-ND
别名：934047390126
PDTA114TS AMO
PDTA114TS AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124ES,126
仓库库存编号：
PDTA124ES,126-ND
别名：934047370126
PDTA124ES AMO
PDTA124ES AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA144ES,126
仓库库存编号：
PDTA144ES,126-ND
别名：934047350126
PDTA144ES AMO
PDTA144ES AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ES,126
仓库库存编号：
PDTB113ES,126-ND
别名：934059144126
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB113ZS,126
仓库库存编号：
PDTB113ZS,126-ND
别名：934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123ES,126
仓库库存编号：
PDTB123ES,126-ND
别名：934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123TS,126
仓库库存编号：
PDTB123TS,126-ND
别名：934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTB123YS,126
仓库库存编号：
PDTB123YS,126-ND
别名：934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114ES,126
仓库库存编号：
PDTC114ES,126-ND
别名：934047440126
PDTC114ES AMO
PDTC114ES AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114TS,126
仓库库存编号：
PDTC114TS,126-ND
别名：934047400126
PDTC114TS AMO
PDTC114TS AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124ES,126
仓库库存编号：
PDTC124ES,126-ND
别名：934047430126
PDTC124ES AMO
PDTC124ES AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ES,126
仓库库存编号：
PDTC143ES,126-ND
别名：934047420126
PDTC143ES AMO
PDTC143ES AMO-ND
规格：Power - Max 500mW,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
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PDTC144ES,126
仓库库存编号：
PDTC144ES,126-ND
别名：934047410126
PDTC144ES AMO
PDTC144ES AMO-ND
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无铅
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