规格：Power - Max 200W,
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Laird Technologies IAS
ANT WHIP WB 1/4 30-34MHZ
详细描述：32MHz 鞭状，直形 RF 天线 30MHz ~ 34MHz 0dB 连接器，NMO 基座
型号：
CWB30S
仓库库存编号：
CWB30S-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Laird Technologies IAS
ANTENNA 806-896MHZ 3DBI CLOSD BK
详细描述：851MHz GSM 鞭状，直形 RF 天线 806MHz ~ 896MHz 3dBi 连接器，NMO 基座
型号：
EB8063C
仓库库存编号：
EB8063C-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Laird Technologies IAS
ANT WHIP EF CC 450-470MHZ
详细描述：460MHz GSM 鞭状，直形 RF 天线 450MHz ~ 470MHz 3dBi 连接器，NMO 基座
型号：
E4503C
仓库库存编号：
E4503C-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Laird Technologies IAS
ANT ELEVATED FEED UHF 450-470MHZ
详细描述：460MHz GSM 鞭状，直形 RF 天线 450MHz ~ 470MHz 3dBi 连接器，NMO 基座
型号：
EB4503C
仓库库存编号：
EB4503C-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
搜索
Laird Technologies IAS
WHIP EF CT 896-970MHZ 933MHZ
详细描述：933MHz GSM 鞭状，直形 RF 天线 896MHz ~ 970MHz 5dBi 连接器，NMO 基座
型号：
EB8965C
仓库库存编号：
EB8965C-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Laird Technologies IAS
ANTENNA 806-896MHZ 5DBI CLOSD BK
详细描述：851MHz GSM 鞭状，直形 RF 天线 806MHz ~ 896MHz 5dBi 连接器，NMO 基座
型号：
EB8065C
仓库库存编号：
EB8065C-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Laird Technologies IAS
ANTENNA YAGI 7 ELEMENT N FEMALE
详细描述：920MHz Yagi，7 元件 RF 天线 880MHz ~ 960MHz 12.2dBi 连接器，N 母型 支架安装
型号：
YF880012-61NF
仓库库存编号：
YF880012-61NF-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Laird Technologies IAS
ANT YAGI FWA 13DBD 53-1/2" NF
详细描述：915MHz GSM Yagi，13 元件 RF 天线 902MHz ~ 928MHz 13dBd 电缆（483mm） - N 母头 支架安装
型号：
PC9013N
仓库库存编号：
PC9013N-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Laird Technologies IAS
ANT 1850-1990MHZ 13DBI N FML
详细描述：1.9GHz PCS Yagi RF 天线 1.85GHz ~ 1.99GHz 13dBi 电缆（305mm） - N 母头 支架安装
型号：
PC18513N
仓库库存编号：
PC18513N-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Laird Technologies IAS
ANT VPOL SECTOR 13DBI 900MH NFEM
详细描述：900MHz WiMax? 领域 RF 天线 860MHz ~ 960MHz 12dBi 连接器，N 母型 支架安装
型号：
SA9-120-13
仓库库存编号：
SA9-120-13-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC50KPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50KPBF-ND
别名：*IRG4PC50KPBF
SP001545724
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH50KPBF
仓库库存编号：
IRG4PH50KPBF-ND
别名：*IRG4PH50KPBF
SP001541998
规格：Power - Max 200W,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 70A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG4PC50F-EPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50F-EPBF-ND
别名：SP001545714
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH32N60B
仓库库存编号：
IXGH32N60B-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH32N60AU1
仓库库存编号：
IXGH32N60AU1-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 200W TO247
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH30N60BD1
仓库库存编号：
IXGH30N60BD1-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH32N60C
仓库库存编号：
IXGH32N60C-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH32N60CD1
仓库库存编号：
IXGH32N60CD1-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 55A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号：
IXSH30N60CD1
仓库库存编号：
IXSH30N60CD1-ND
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH32N60BU1
仓库库存编号：
IXGH32N60BU1-ND
别名：Q898891
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 1000V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH25N100A
仓库库存编号：
IXGH25N100A-ND
别名：Q1112006
规格：Power - Max 200W,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 200W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXER35N120D1
仓库库存编号：
IXER35N120D1-ND
别名：Q1370333
规格：Power - Max 200W,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 450V 24A TO-247
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 24A 200W Through Hole TO-247-3
型号：
BUX98APW
仓库库存编号：
497-2575-5-ND
别名：497-2575-5
规格：Power - Max 200W,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 80V 25A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 25A 4MHz 200W Through Hole TO-3
型号：
2N5884
仓库库存编号：
2N5884OS-ND
别名：2N5884OS
规格：Power - Max 200W,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-3
型号：
MJ11016
仓库库存编号：
MJ11016OS-ND
别名：MJ11016OS
规格：Power - Max 200W,
含铅
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