规格：Power - Max 360mW,
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Microsemi Corporation
JFET N-CHAN 40V 3SMD
详细描述：JFET N-Channel 40V 360mW Surface Mount 3-UB (3.09x2.45)
型号：
2N4091UB
仓库库存编号：
2N4091UB-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 15V
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 360mW Surface Mount UA
型号：
JANTXV2N2369AUA
仓库库存编号：
1086-20729-ND
别名：1086-20729
1086-20729-MIL
规格：Power - Max 360mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述：JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18
型号：
2N4856
仓库库存编号：
2N4856-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述：JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18
型号：
2N4857
仓库库存编号：
2N4857-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述：JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18
型号：
2N4858
仓库库存编号：
2N4858-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述：JFET N-Channel 30V 360mW Through Hole TO-18
型号：
2N4859
仓库库存编号：
2N4859-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述：JFET N-Channel 30V 360mW Through Hole TO-18
型号：
2N4860
仓库库存编号：
2N4860-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
JFET N-CHAN 40V 3SMD
详细描述：JFET N-Channel 40V 360mW Surface Mount 3-UB (3.09x2.45)
型号：
2N4858UB
仓库库存编号：
2N4858UB-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
NPN TRANSISTOR
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 360mW Surface Mount 3-SMD
型号：
JANS2N2369AUBC
仓库库存编号：
JANS2N2369AUBC-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 70MHz 360mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
MMBTA42LT1HTSA1
仓库库存编号：
MMBTA42LT1HTSA1CT-ND
别名：MMBTA42LT1INCT
MMBTA42LT1INCT-ND
规格：Power - Max 360mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 300V 0.2A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 200mA 100MHz 360mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BFN27E6327HTSA1
仓库库存编号：
BFN27E6327HTSA1CT-ND
别名：BFN 27 E6327CT
BFN 27 E6327CT-ND
规格：Power - Max 360mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 250V 0.2A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 200mA 70MHz 360mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BFN24E6327HTSA1
仓库库存编号：
BFN24E6327HTSA1CT-ND
别名：BFN 24 E6327CT
BFN 24 E6327CT-ND
规格：Power - Max 360mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 30V 500mA 200MHz 360mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCV26E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCV26E6327HTSA1CT-ND
别名：BCV 26 E6327CT
BCV 26 E6327CT-ND
规格：Power - Max 360mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 170MHz 360mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCV27E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCV27E6327HTSA1CT-ND
别名：BCV 27 E6327CT
BCV 27 E6327CT-ND
规格：Power - Max 360mW,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP DARL 60V 0.5A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 500mA 200MHz 360mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCV46E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCV46E6327HTSA1CT-ND
别名：BCV46INCT
BCV46INCT-ND
规格：Power - Max 360mW,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 15V 0.2A TO-18
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 675MHz 360mW Through Hole TO-18
型号：
2N2369A
仓库库存编号：
497-3107-5-ND
别名：497-3107-5
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 0.05A TO18
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18
型号：
JAN2N2484
仓库库存编号：
1086-2329-ND
别名：1086-2329
1086-2329-MIL
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 60V 0.05A TO18
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18
型号：
JANTXV2N2484
仓库库存编号：
1086-3057-ND
别名：1086-3057
1086-3057-MIL
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 15V SMD
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 360mW Surface Mount SMD
型号：
2N2369AUA
仓库库存编号：
2N2369AUA-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 15V SMD
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 360mW Surface Mount SMD
型号：
2N2369AUB
仓库库存编号：
2N2369AUB-ND
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 30V 0.1A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 360mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号：
JAN2N2432
仓库库存编号：
1086-16081-ND
别名：1086-16081
1086-16081-MIL
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 45V 0.1A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 360mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号：
JAN2N2432A
仓库库存编号：
1086-16083-ND
别名：1086-16083
1086-16083-MIL
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 0.2A TO-39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 200mA 360mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JAN2N3250A
仓库库存编号：
1086-16089-ND
别名：1086-16089
1086-16089-MIL
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 0.2A TO-39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 200mA 360mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JANTX2N3250A
仓库库存编号：
1086-16090-ND
别名：1086-16090
1086-16090-MIL
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 60V 0.2A TO-39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 200mA 360mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
型号：
JAN2N3251A
仓库库存编号：
1086-16091-ND
别名：1086-16091
1086-16091-MIL
规格：Power - Max 360mW,
含铅
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