规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT400A120G
仓库库存编号：
APTGT400A120G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT400DU120G
仓库库存编号：
APTGT400DU120G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 300A 1100W Chassis Mount Module
型号：
DF200R12PT4_B6
仓库库存编号：
DF200R12PT4_B6-ND
别名：SP000989816
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 300A 1100W Chassis Mount Module
型号：
FD200R12PT4_B6
仓库库存编号：
FD200R12PT4_B6-ND
别名：SP000989824
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Global Power Technologies Group
SILICON IGBT MODULES
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
型号：
GSID600A120S4B1
仓库库存编号：
GSID600A120S4B1-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
详细描述：IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 341A 1042W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GT300YH120N
仓库库存编号：
VS-GT300YH120N-ND
别名：VSGT300YH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 580A 2100W Chassis Mount D3
型号：
APTGT400A120D3G
仓库库存编号：
APTGT400A120D3G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 180A 960W Chassis Mount Module
型号：
F4-150R12KS4
仓库库存编号：
F4-150R12KS4-ND
别名：SP000100435
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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IXYS
MOD IGBT TRENCH SIXPACK E3
详细描述：IGBT Module Trench Three Phase Inverter 1200V 215A 690W Chassis Mount E3
型号：
MWI150-12T8T
仓库库存编号：
MWI150-12T8T-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 650V 300A
详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 460A 1650W Chassis Mount Module
型号：
F3L300R12PT4_B26
仓库库存编号：
F3L300R12PT4_B26-ND
别名：SP000929996
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 910A 3125W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB600AH120N
仓库库存编号：
VS-GB600AH120N-ND
别名：VSGB600AH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 543W Chassis Mount INT-A-PAK
型号：
VS-GB75TP120N
仓库库存编号：
VS-GB75TP120N-ND
别名：VSGB75TP120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 650V 400A
详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 600A 2150W Chassis Mount Module
型号：
F3L400R12PT4_B26
仓库库存编号：
F3L400R12PT4_B26-ND
别名：SP000929974
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 800A 2604W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400TH120N
仓库库存编号：
VS-GB400TH120N-ND
别名：VSGB400TH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 660A 2660W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB400TH120U
仓库库存编号：
VS-GB400TH120U-ND
别名：VSGB400TH120U
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100NH120N
仓库库存编号：
VS-GB100NH120N-ND
别名：VSGB100NH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100LH120N
仓库库存编号：
VS-GB100LH120N-ND
别名：VSGB100LH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
详细描述：IGBT Module 1200V 100A 480W Chassis Mount ECONO2 4PACK
型号：
VS-GB75YF120N
仓库库存编号：
VS-GB75YF120N-ND
别名：VSGB75YF120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 100A 480W ECONO
详细描述：IGBT Module 1200V 100A 480W Chassis Mount ECONO2 4PACK
型号：
VS-GB75YF120UT
仓库库存编号：
VS-GB75YF120UT-ND
别名：VSGB75YF120UT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 833W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100TH120N
仓库库存编号：
VS-GB100TH120N-ND
别名：VSGB100TH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 200A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB100TH120U
仓库库存编号：
VS-GB100TH120U-ND
别名：VSGB100TH120U
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 370A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200LH120N
仓库库存编号：
VS-GB200LH120N-ND
别名：VSGB200LH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 420A 1562W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB200NH120N
仓库库存编号：
VS-GB200NH120N-ND
别名：VSGB200NH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 300A 1008W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB150TH120N
仓库库存编号：
VS-GB150TH120N-ND
别名：VSGB150TH120N
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK
详细描述：IGBT Module Single 1200V 620A 2500W Chassis Mount Double INT-A-PAK
型号：
VS-GB300AH120N
仓库库存编号：
VS-GB300AH120N-ND
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