规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMUN2212LT1G
仓库库存编号：
NSVMMUN2212LT1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMUN2217LT1G
仓库库存编号：
NSVMMUN2217LT1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMUN2230LT1G
仓库库存编号：
NSVMMUN2230LT1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMUN2232LT3G
仓库库存编号：
NSVMMUN2232LT3G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
SMMUN2238LT1G
仓库库存编号：
SMMUN2238LT1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMBT5087LT3G
仓库库存编号：
NSVMMBT5087LT3G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMUN2113LT3G
仓库库存编号：
NSVMMUN2113LT3G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMBT5087LT1G
仓库库存编号：
NSVMMBT5087LT1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMUN2233LT3G
仓库库存编号：
NSVMMUN2233LT3G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号：
NSVMMUN2135LT1G
仓库库存编号：
NSVMMUN2135LT1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
DDTD122LC-7-F
仓库库存编号：
DDTD122LC-FDITR-ND
别名：DDTD122LC-FDITR
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
DDTD114GC-7-F
仓库库存编号：
DDTD114GC-7-F-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
DDTD114TC-7-F
仓库库存编号：
DDTD114TC-7-F-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
DDTD122JC-7-F
仓库库存编号：
DDTD122JC-7-F-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
DDTD123EC-7-F
仓库库存编号：
DDTD123EC-7-F-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
DDTD143EC-7-F
仓库库存编号：
DDTD143EC-7-F-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
DDTD143TC-7-F
仓库库存编号：
DDTD143TC-7-F-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
型号：
PDTB113ET,215
仓库库存编号：
PDTB113ET,215-ND
别名：934058978215
PDTB113ET T/R
PDTB113ET T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号：
PDTA115EU,115
仓库库存编号：
1727-3012-1-ND
别名：1727-3012-1
568-2110-1
568-2110-1-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 70A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92
型号：
KTC3198-BL A1G
仓库库存编号：
KTC3198-BL A1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 120
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92
型号：
KTC3198-GR A1G
仓库库存编号：
KTC3198-GR A1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 200
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92
型号：
KTC3198-O A1G
仓库库存编号：
KTC3198-O A1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 300
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92
型号：
KTC3198-Y A1G
仓库库存编号：
KTC3198-Y A1G-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号：
DTA114EEFRATL
仓库库存编号：
DTA114EEFRATL-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号：
DTC114EEFRATL
仓库库存编号：
DTC114EEFRATL-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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