规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN SOT23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR116E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR116E6393HTSA1-ND
别名：SP000010750
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR133E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR133E6393HTSA1-ND
别名：SP000010758
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR135E6359HTMA1
仓库库存编号：
BCR135E6359HTMA1-ND
别名：SP000010766
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR148E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR148E6393HTSA1-ND
别名：SP000010779
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR183E6359HTMA1
仓库库存编号：
BCR183E6359HTMA1-ND
别名：SP000010801
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR192E6785HTSA1
仓库库存编号：
BCR192E6785HTSA1-ND
别名：SP000010815
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR198E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR198E6393HTSA1-ND
别名：SP000010818
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR503E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR503E6393HTSA1-ND
别名：SP000010840
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR505E6778HTSA1
仓库库存编号：
BCR505E6778HTSA1-ND
别名：SP000455114
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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