规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTB113EK,115
仓库库存编号：
PDTB113EK,115-ND
别名：934058968115
PDTB113EK T/R
PDTB113EK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTB113ZK,115
仓库库存编号：
PDTB113ZK,115-ND
别名：934058971115
PDTB113ZK T/R
PDTB113ZK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTB123EK,115
仓库库存编号：
PDTB123EK,115-ND
别名：934058966115
PDTB123EK T/R
PDTB123EK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTB123YK,115
仓库库存编号：
PDTB123YK,115-ND
别名：934058973115
PDTB123YK T/R
PDTB123YK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114YS,126
仓库库存编号：
PDTC114YS,126-ND
别名：934057566126
PDTC114YS AMO
PDTC114YS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC115ES,126
仓库库存编号：
PDTC115ES,126-ND
别名：934057567126
PDTC115ES AMO
PDTC115ES AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC115TS,126
仓库库存编号：
PDTC115TS,126-ND
别名：934058784126
PDTC115TS AMO
PDTC115TS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123ES,126
仓库库存编号：
PDTC123ES,126-ND
别名：934057568126
PDTC123ES AMO
PDTC123ES AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123JS,126
仓库库存编号：
PDTC123JS,126-ND
别名：934057569126
PDTC123JS AMO
PDTC123JS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC123TE,115
仓库库存编号：
PDTC123TE,115-ND
别名：934059936115
PDTC123TE T/R
PDTC123TE T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC123YE,115
仓库库存编号：
PDTC123YE,115-ND
别名：934058807115
PDTC123YE T/R
PDTC123YE T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC123YK,115
仓库库存编号：
PDTC123YK,115-ND
别名：934058839115
PDTC123YK T/R
PDTC123YK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123YS,126
仓库库存编号：
PDTC123YS,126-ND
别名：934058786126
PDTC123YS AMO
PDTC123YS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124TS,126
仓库库存编号：
PDTC124TS,126-ND
别名：934057570126
PDTC124TS AMO
PDTC124TS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124XS,126
仓库库存编号：
PDTC124XS,126-ND
别名：934057571126
PDTC124XS AMO
PDTC124XS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143TS,126
仓库库存编号：
PDTC143TS,126-ND
别名：934057572126
PDTC143TS AMO
PDTC143TS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143XS,126
仓库库存编号：
PDTC143XS,126-ND
别名：934057573126
PDTC143XS AMO
PDTC143XS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ZS,126
仓库库存编号：
PDTC143ZS,126-ND
别名：934057574126
PDTC143ZS AMO
PDTC143ZS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144TS,126
仓库库存编号：
PDTC144TS,126-ND
别名：934057575126
PDTC144TS AMO
PDTC144TS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTC144VE,115
仓库库存编号：
PDTC144VE,115-ND
别名：934058806115
PDTC144VE T/R
PDTC144VE T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC144VK,115
仓库库存编号：
PDTC144VK,115-ND
别名：934058838115
PDTC144VK T/R
PDTC144VK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144VS,126
仓库库存编号：
PDTC144VS,126-ND
别名：934058785126
PDTC144VS AMO
PDTC144VS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA143ZK,135
仓库库存编号：
PDTA143ZK,135-ND
别名：934054805135
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR 148W H6433
仓库库存编号：
BCR 148W H6433-ND
别名：SP000756242
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA114EEAF
仓库库存编号：
PDTA114EEAF-ND
别名：934051530135
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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