规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 191L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 191L3 E6327-ND
别名：BCR191L3E6327XT
SP000014875
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 191T E6327
仓库库存编号：
BCR 191T E6327-ND
别名：BCR191TE6327XT
SP000014789
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR191WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR191WE6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 191W E6327
BCR 191W E6327-ND
BCR191WE6327
SP000012275
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 192 B6327
仓库库存编号：
BCR 192 B6327-ND
别名：BCR192B6327XT
SP000056349
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 192F E6327
仓库库存编号：
BCR 192F E6327-ND
别名：BCR192FE6327XT
SP000014066
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 192L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 192L3 E6327-ND
别名：BCR192L3E6327XT
SP000014876
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 192T E6327
仓库库存编号：
BCR 192T E6327-ND
别名：BCR192TE6327XT
SP000012808
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR192WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR192WE6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 192W E6327
BCR 192W E6327-ND
BCR192WE6327
BCR192WE6327XT
SP000010816
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 196F E6327
仓库库存编号：
BCR 196F E6327-ND
别名：BCR196FE6327XT
SP000014449
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 196L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 196L3 E6327-ND
别名：BCR196L3E6327XT
SP000014877
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 196T E6327
仓库库存编号：
BCR 196T E6327-ND
别名：BCR196TE6327XT
SP000014765
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR196WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR196WE6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 196W E6327
BCR 196W E6327-ND
BCR196WE6327
BCR196WE6327XT
SP000018040
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR198B6327HTLA1
仓库库存编号：
BCR198B6327HTLA1TR-ND
别名：BCR 198 B6327
BCR 198 B6327-ND
BCR198B6327HTSA1
BCR198B6327XT
SP000056350
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 198F E6327
仓库库存编号：
BCR 198F E6327-ND
别名：BCR198FE6327XT
SP000013055
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 198L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 198L3 E6327-ND
别名：BCR198L3E6327XT
SP000014878
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 198T E6327
仓库库存编号：
BCR 198T E6327-ND
别名：BCR198TE6327XT
SP000013045
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR198WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR198WE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 198W E6327
BCR 198W E6327-ND
BCR198WE6327
BCR198WE6327XT
SP000010824
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 199F E6327
仓库库存编号：
BCR 199F E6327-ND
别名：BCR199FE6327XT
SP000014879
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 199L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 199L3 E6327-ND
别名：BCR199L3E6327T
SP000014880
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 199T E6327
仓库库存编号：
BCR 199T E6327-ND
别名：BCR199TE6327XT
SP000014816
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 503 B6327
仓库库存编号：
BCR 503 B6327-ND
别名：BCR503B6327XT
SP000056345
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 512 B6327
仓库库存编号：
BCR 512 B6327-ND
别名：BCR512B6327XT
SP000056341
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 519 E6327
仓库库存编号：
BCR 519 E6327-ND
别名：BCR519E6327XT
SP000015052
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 569 E6327
仓库库存编号：
BCR 569 E6327-ND
别名：BCR569E6327XT
SP000015053
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBRP113ES,126
仓库库存编号：
PBRP113ES,126-ND
别名：934059135126
PBRP113ES AMO
PBRP113ES AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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