规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR166B6327HTLA1
仓库库存编号：
BCR166B6327HTLA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 166 B6327
BCR 166 B6327-ND
BCR166B6327HTSA1
BCR166B6327XT
SP000056344
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 166F E6327
仓库库存编号：
BCR 166F E6327-ND
别名：BCR166FE6327XT
SP000014446
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 166L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 166L3 E6327-ND
别名：BCR166L3E6327XT
SP000014870
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 166T E6327
仓库库存编号：
BCR 166T E6327-ND
别名：BCR166TE6327XT
SP000014766
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR166WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR166WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 166W E6327
BCR 166W E6327-ND
BCR166WE6327
BCR166WE6327XT
SP000012875
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 169F E6327
仓库库存编号：
BCR 169F E6327-ND
别名：BCR169FE6327XT
SP000014447
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 169L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 169L3 E6327-ND
别名：BCR169L3E6327T
SP000014871
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 169T E6327
仓库库存编号：
BCR 169T E6327-ND
别名：BCR169TE6327XT
SP000014767
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR169WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR169WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 169W E6327
BCR 169W E6327-ND
BCR169WE6327
SP000012271
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 179F E6327
仓库库存编号：
BCR 179F E6327-ND
别名：BCR179FE6327XT
SP000014791
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 179L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 179L3 E6327-ND
别名：BCR179L3E6327XT
SP000014872
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 179T E6327
仓库库存编号：
BCR 179T E6327-ND
别名：BCR179TE6327XT
SP000014768
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 183 B6327
仓库库存编号：
BCR 183 B6327-ND
别名：BCR183B6327XT
SP000057461
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 183F E6327
仓库库存编号：
BCR 183F E6327-ND
别名：BCR183FE6327XT
SP000012994
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 183L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 183L3 E6327-ND
别名：BCR183L3E6327XT
SP000013565
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 183T E6327
仓库库存编号：
BCR 183T E6327-ND
别名：BCR183TE6327XT
SP000012807
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR183WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR183WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 183W E6327
BCR 183W E6327-ND
BCR183WE6327
BCR183WE6327XT
SP000010805
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 185F E6327
仓库库存编号：
BCR 185F E6327-ND
别名：BCR185FE6327XT
SP000013054
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 185L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 185L3 E6327-ND
别名：BCR185L3E6327XT
SP000014873
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 185T E6327
仓库库存编号：
BCR 185T E6327-ND
别名：BCR185TE6327XT
SP000014106
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR185WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR185WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 185W E6327
BCR 185W E6327-ND
BCR185WE6327
BCR185WE6327XT
SP000010808
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 189F E6327
仓库库存编号：
BCR 189F E6327-ND
别名：BCR189FE6327XT
SP000014448
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 189L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 189L3 E6327-ND
别名：BCR189L3E6327XT
SP000014874
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 189T E6327
仓库库存编号：
BCR 189T E6327-ND
别名：BCR189TE6327XT
SP000014818
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 191F E6327
仓库库存编号：
BCR 191F E6327-ND
别名：BCR191FE6327XT
SP000014065
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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