规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 133L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 133L3 E6327-ND
别名：BCR133L3E6327XT
SP000013564
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 133T E6327
仓库库存编号：
BCR 133T E6327-ND
别名：BCR133TE6327XT
SP000012801
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR133WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR133WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 133W E6327
BCR 133W E6327-ND
BCR133WE6327
BCR133WE6327XT
SP000010764
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 135 B6327
仓库库存编号：
BCR 135 B6327-ND
别名：BCR135B6327XT
SP000095915
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 135F E6327
仓库库存编号：
BCR 135F E6327-ND
别名：BCR135FE6327XT
SP000013048
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 135L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 135L3 E6327-ND
别名：BCR135L3E6327XT
SP000014856
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 135T E6327
仓库库存编号：
BCR 135T E6327-ND
别名：BCR135TE6327XT
SP000012802
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR135WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR135WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 135W E6327
BCR 135W E6327-ND
BCR135WE6327
BCR135WE6327XT
SP000010768
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 139F E6327
仓库库存编号：
BCR 139F E6327-ND
别名：BCR139FE6327XT
SP000014442
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 139L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 139L3 E6327-ND
别名：BCR139L3E6327XT
SP000014857
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 139T E6327
仓库库存编号：
BCR 139T E6327-ND
别名：BCR139TE6327XT
SP000014763
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 141F E6327
仓库库存编号：
BCR 141F E6327-ND
别名：BCR141FE6327XT
SP000013049
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 141L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 141L3 E6327-ND
别名：BCR141L3E6327XT
SP000014858
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 141T E6327
仓库库存编号：
BCR 141T E6327-ND
别名：BCR141TE6327XT
SP000012803
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR141WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR141WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 141W E6327
BCR 141W E6327-ND
BCR141WE6327
BCR141WE6327XT
SP000010773
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR142B6327HTLA1
仓库库存编号：
BCR142B6327HTLA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 142 B6327
BCR 142 B6327-ND
BCR142B6327HTSA1
BCR142B6327XT
SP000010774
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 142F E6327
仓库库存编号：
BCR 142F E6327-ND
别名：BCR142FE6327XT
SP000014063
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 142L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 142L3 E6327-ND
别名：BCR142L3E6327XT
SP000014859
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 142T E6327
仓库库存编号：
BCR 142T E6327-ND
别名：BCR142TE6327XT
SP000012804
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR142WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR142WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 142W E6327
BCR 142W E6327-ND
BCR142WE6327
BCR142WE6327XT
SP000012269
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 146F E6327
仓库库存编号：
BCR 146F E6327-ND
别名：BCR146FE6327XT
SP000014443
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 146L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 146L3 E6327-ND
别名：BCR146L3E6327XT
SP000014860
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 70mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 146T E6327
仓库库存编号：
BCR 146T E6327-ND
别名：BCR146TE6327XT
SP000014776
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 148 B6327
仓库库存编号：
BCR 148 B6327-ND
别名：BCR148B6327XT
SP000056351
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 148F B6327
仓库库存编号：
BCR 148F B6327-ND
别名：BCR148FB6327XT
SP000013051
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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