规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 108T E6327
仓库库存编号：
BCR 108T E6327-ND
别名：BCR108TE6327XT
SP000012799
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR108WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR108WE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 108W E6327
BCR 108W E6327-ND
BCR108WE6327XT
BCR169WE6327XT
SP000010746
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 112F E6327
仓库库存编号：
BCR 112F E6327-ND
别名：BCR112FE6327XT
SP000014062
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 112L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 112L3 E6327-ND
别名：BCR112L3E6327XT
SP000014852
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 112T E6327
仓库库存编号：
BCR 112T E6327-ND
别名：BCR112TE6327XT
SP000014126
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR112WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR112WE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 112W E6327
BCR 112W E6327-ND
BCR112WE6327
BCR112WE6327XT
SP000010748
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 114F E6327
仓库库存编号：
BCR 114F E6327-ND
别名：BCR114FE6327XT
SP000014848
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 114L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 114L3 E6327-ND
别名：BCR114L3E6327XT
SP000014851
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 160MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 114T E6327
仓库库存编号：
BCR 114T E6327-ND
别名：BCR114TE6327XT
SP000014773
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 116F E6327
仓库库存编号：
BCR 116F E6327-ND
别名：BCR116FE6327XT
SP000013047
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 116L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 116L3 E6327-ND
别名：BCR116L3E6327XT
SP000014853
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 116T E6327
仓库库存编号：
BCR 116T E6327-ND
别名：BCR116TE6327XT
SP000014775
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR116WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR116WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 116W E6327
BCR 116W E6327-ND
BCR116WE6327
BCR116WE6327XT
SP000012264
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 119 E6433
仓库库存编号：
BCR 119 E6433-ND
别名：BCR119E6433XT
SP000010754
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 119F E6327
仓库库存编号：
BCR 119F E6327-ND
别名：BCR119FE6327XT
SP000014440
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 119L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 119L3 E6327-ND
别名：BCR119L3E6327XT
SP000014854
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 119T E6327
仓库库存编号：
BCR 119T E6327-ND
别名：BCR119TE6327XT
SP000014774
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR119WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR119WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 119W E6327
BCR 119W E6327-ND
BCR119WE6327
BCR119WE6327XT
SP000012267
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 129F E6327
仓库库存编号：
BCR 129F E6327-ND
别名：BCR129FE6327XT
SP000014441
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 129L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 129L3 E6327-ND
别名：BCR129L3E6327XT
SP000014855
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 129T E6327
仓库库存编号：
BCR 129T E6327-ND
别名：BCR129TE6327XT
SP000012800
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR129WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR129WE6327HTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 129W E6327
BCR 129W E6327-ND
BCR129WE6327
BCR129WE6327XT
SP000014963
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 133 B6327
仓库库存编号：
BCR 133 B6327-ND
别名：BCR133B6327XT
SP000056346
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 133F B6327
仓库库存编号：
BCR 133F B6327-ND
别名：BCR133FB6327XT
SP000014050
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 133F E6327
仓库库存编号：
BCR 133F E6327-ND
别名：BCR133FE6327XT
SP000014049
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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