规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 0.5A SC59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 500mA 100MHz 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
2PB710AQ,115
仓库库存编号：
2PB710AQ,115-ND
别名：2PB710AQ T/R
2PB710AQ T/R-ND
934028610115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 0.5A SC59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 500mA 120MHz 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
2PB710AR,115
仓库库存编号：
2PB710AR,115-ND
别名：2PB710AR T/R
2PB710AR T/R-ND
934026670115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
2PC1815BL,126
仓库库存编号：
2PC1815BL,126-ND
别名：2PC1815BL AMO
2PC1815BL AMO-ND
933988990126
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
2PC1815GR,412
仓库库存编号：
2PC1815GR,412-ND
别名：2PC1815GR
2PC1815GR-ND
933988980412
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
2PC1815GR,126
仓库库存编号：
2PC1815GR,126-ND
别名：2PC1815GR AMO
2PC1815GR AMO-ND
933988980126
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
2PC1815GR,116
仓库库存编号：
2PC1815GR,116-ND
别名：2PC1815GR T/R
2PC1815GR T/R-ND
933988980116
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
2PC1815Y,412
仓库库存编号：
2PC1815Y,412-ND
别名：2PC1815Y
2PC1815Y-ND
933988970412
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.15A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
2PC1815Y,126
仓库库存编号：
2PC1815Y,126-ND
别名：2PC1815Y AMO
2PC1815Y AMO-ND
933988970126
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.15A SC-75
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
2PC4617S,115
仓库库存编号：
2PC4617S,115-ND
别名：2PC4617S T/R
2PC4617S T/R-ND
934043540115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.1A SC101
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 100MHz 430mW Surface Mount SC-75
型号：
2PC4617SM,315
仓库库存编号：
2PC4617SM,315-ND
别名：2PC4617SM T/R
2PC4617SM T/R-ND
934057154315
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.5A SOT323
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 150MHz 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号：
2PD1820AQ,115
仓库库存编号：
2PD1820AQ,115-ND
别名：2PD1820AQ T/R
2PD1820AQ T/R-ND
934042550115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
2PD601AQ,115
仓库库存编号：
2PD601AQ,115-ND
别名：2PD601AQ T/R
2PD601AQ T/R-ND
934028500115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.1A SOT323
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号：
2PD601AQW,115
仓库库存编号：
2PD601AQW,115-ND
别名：2PD601AQW T/R
2PD601AQW T/R-ND
934057049115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
2PD601AR,115
仓库库存编号：
2PD601AR,115-ND
别名：2PD601AR T/R
2PD601AR T/R-ND
934026630115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
2PD601AS,115
仓库库存编号：
2PD601AS,115-ND
别名：2PD601AS T/R
2PD601AS T/R-ND
934027140115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 140MHz 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
2PD602AQ,115
仓库库存编号：
2PD602AQ,115-ND
别名：2PD602AQ T/R
2PD602AQ T/R-ND
934028530115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 160MHz 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
2PD602AR,115
仓库库存编号：
2PD602AR,115-ND
别名：2PD602AR T/R
2PD602AR T/R-ND
934026610115
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 101L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 101L3 E6327-ND
别名：BCR101L3E6327XT
SP000014850
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 101T E6327
仓库库存编号：
BCR 101T E6327-ND
别名：BCR101TE6327XT
SP000014813
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 103F E6327
仓库库存编号：
BCR 103F E6327-ND
别名：BCR103FE6327XT
SP000014847
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 103L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 103L3 E6327-ND
别名：BCR103L3E6327XT
SP000014756
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 103T E6327
仓库库存编号：
BCR 103T E6327-ND
别名：BCR103TE6327XT
SP000014757
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 108 B6327
仓库库存编号：
BCR 108 B6327-ND
别名：BCR108B6327XT
SP000056348
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 108F E6327
仓库库存编号：
BCR 108F E6327-ND
别名：BCR108FE6327XT
SP000013046
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 108L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 108L3 E6327-ND
别名：BCR108L3E6327XT
SP000014758
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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