规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ES,126
仓库库存编号：
PDTC143ES,126-ND
别名：934047420126
PDTC143ES AMO
PDTC143ES AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC143TK,115
仓库库存编号：
PDTC143TK,115-ND
别名：934057555115
PDTC143TK T/R
PDTC143TK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC143XK,115
仓库库存编号：
PDTC143XK,115-ND
别名：934056976115
PDTC143XK T/R
PDTC143XK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC143ZK,115
仓库库存编号：
PDTC143ZK,115-ND
别名：934054806115
PDTC143ZK T/R
PDTC143ZK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC144EK,115
仓库库存编号：
PDTC144EK,115-ND
别名：934036820115
PDTC144EK T/R
PDTC144EK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144ES,126
仓库库存编号：
PDTC144ES,126-ND
别名：934047410126
PDTC144ES AMO
PDTC144ES AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC144TK,115
仓库库存编号：
PDTC144TK,115-ND
别名：934057556115
PDTC144TK T/R
PDTC144TK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTC144WK,115
仓库库存编号：
PDTC144WK,115-ND
别名：934054808115
PDTC144WK T/R
PDTC144WK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ES,126
仓库库存编号：
PDTD113ES,126-ND
别名：934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD113ZS,126
仓库库存编号：
PDTD113ZS,126-ND
别名：934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123ES,126
仓库库存编号：
PDTD123ES,126-ND
别名：934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTD123TK,115
仓库库存编号：
PDTD123TK,115-ND
别名：934059204115
PDTD123TK T/R
PDTD123TK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123TS,126
仓库库存编号：
PDTD123TS,126-ND
别名：934059726126
PDTD123TS AMO
PDTD123TS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTD123YS,126
仓库库存编号：
PDTD123YS,126-ND
别名：934059147126
PDTD123YS AMO
PDTD123YS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 2A SOT96-1
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 50V 2A 100MHz 1W Surface Mount 8-SO
型号：
PMEM4030NS,115
仓库库存编号：
PMEM4030NS,115-ND
别名：934057775115
PMEM4030NS T/R
PMEM4030NS T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 2A SOT96-1
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP + Diode (Isolated) 50V 2A 100MHz 1W Surface Mount 8-SO
型号：
PMEM4030PS,115
仓库库存编号：
PMEM4030PS,115-ND
别名：934057776115
PMEM4030PS T/R
PMEM4030PS T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 3A TO92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS4350S,126
仓库库存编号：
PBSS4350S,126-ND
别名：934056901126
PBSS4350S AMO
PBSS4350S AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 3A TO92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号：
PBSS5350S,126
仓库库存编号：
PBSS5350S,126-ND
别名：934056902126
PBSS5350S AMO
PBSS5350S AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC144WS,126
仓库库存编号：
PDTC144WS,126-ND
别名：934057558126
PDTC144WS AMO
PDTC144WS AMO-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTD113EK,115
仓库库存编号：
PDTD113EK,115-ND
别名：934058965115
PDTD113EK T/R
PDTD113EK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTD113ZK,115
仓库库存编号：
PDTD113ZK,115-ND
别名：934058969115
PDTD113ZK T/R
PDTD113ZK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTD123EK,115
仓库库存编号：
PDTD123EK,115-ND
别名：934058967115
PDTD123EK T/R
PDTD123EK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTD123YK,115
仓库库存编号：
PDTD123YK,115-ND
别名：934058972115
PDTD123YK T/R
PDTD123YK T/R-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
2PA1015GR,126
仓库库存编号：
2PA1015GR,126-ND
别名：2PA1015GR AMO
2PA1015GR AMO-ND
933988950126
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
2PA1015Y,126
仓库库存编号：
2PA1015Y,126-ND
别名：2PA1015Y AMO
2PA1015Y AMO-ND
933988940126
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
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