规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(4034)
分立半导体产品
(4013)
传感器，变送器
(21)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp(29)
Comchip Technology(1)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(578)
Fairchild/ON Semiconductor(84)
Infineon Technologies(195)
Kionix Inc.(217)
Micro Commercial Co(57)
Microsemi Corporation(54)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(15)
Nexperia USA Inc.(330)
NXP USA Inc.(202)
ON Semiconductor(275)
OSRAM Opto Semiconductors Inc.(10)
Panasonic - ATG(152)
Panasonic - BSG(49)
Panasonic - DTG(18)
Panasonic Electric Works(12)
Panasonic Electronic Components(128)
Panasonic Industrial Automation Sales(355)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(287)
Sanken(5)
STMicroelectronics(6)
Taiwan Semiconductor Corporation(8)
Toshiba Semiconductor and Storage(278)
TT Electronics/Optek Technology(15)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 2A NMP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-NMP
型号：
2SA1706T-AN
仓库库存编号：
2SA1706T-AN-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 3A NMP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 150MHz 1W Through Hole 3-NMP
型号：
2SA1707T-AN
仓库库存编号：
2SA1707T-AN-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 2A NMP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 420MHz 900mW Through Hole 3-NMP
型号：
2SA2186-AN
仓库库存编号：
2SA2186-AN-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS PNP 50V 0.15A CP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 180MHz 200mW Surface Mount
型号：
2SA1179N6-CPA-TB-E
仓库库存编号：
2SA1179N6-CPA-TB-E-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN 50V 0.15A CP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 100MHz 200mW Surface Mount 3-CP
型号：
2SC2812N6-CPA-TB-E
仓库库存编号：
2SC2812N6-CPA-TB-E-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号：
DTB113ESTP
仓库库存编号：
DTB113ESTPTB-ND
别名：DTB113ESTP-ND
DTB113ESTPTB
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
型号：
DTB113ESTP
仓库库存编号：
DTB113ESTPCT-ND
别名：DTB113ESTPCT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 50V 0.1A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 80MHz 100mW Surface Mount CST3
型号：
2SA2154CT-Y(TPL3)
仓库库存编号：
2SA2154CT-Y(TPL3)CT-ND
别名：2SA2154CT-Y(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
型号：
RN1106MFV(TL3,T)
仓库库存编号：
RN1106MFV(TL3T)CT-ND
别名：RN1106MFV(TL3T)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1109(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1109(T5LFT)CT-ND
别名：RN1109(T5LFT)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1112(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1112(T5LFT)CT-ND
别名：RN1112(T5LFT)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1117(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1117(T5LFT)CT-ND
别名：RN1117(T5LFT)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1118(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1118(T5LFT)CT-ND
别名：RN1118(T5LFT)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount
型号：
JAN2N2222AUA
仓库库存编号：
1086-2325-ND
别名：1086-2325
1086-2325-MIL
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A TO18
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-218
型号：
JANTX2N2222AL
仓库库存编号：
1086-2676-ND
别名：1086-2676
1086-2676-MIL
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A TO46
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-46-3
型号：
JANTXV2N5582
仓库库存编号：
1086-3094-ND
别名：1086-3094
1086-3094-MIL
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39
型号：
2N2219AL
仓库库存编号：
2N2219AL-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
含铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1101ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1101ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1101ACT(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1102ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1102ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1102ACT(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1103ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1103ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1103ACT(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1104ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1104ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1104ACT(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1105ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1105ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1105ACT(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1106ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1106ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1106ACT(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1108ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1108ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1108ACT(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1109ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1109ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1109ACT(TPL3)CT
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V,
无铅
搜索
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
