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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  
  型号：RN1402S,LF
  仓库库存编号：RN1402SLFCT-ND
  别名：RN1402SLFCT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  
  型号：RN2402S,LF
  仓库库存编号：RN2402SLFCT-ND
  别名：RN2402SLFCT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  
  型号：RN1118(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1118(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1118(T5LFT)CT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2902FE(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2902FE(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2902FE(T5LFT)CT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN2962FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN2962FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN2962FE(TE85LF)CT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2902(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2902(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2902(T5LFT)CT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  
  型号：RN1102ACT(TPL3)
  仓库库存编号：RN1102ACT(TPL3)CT-ND
  别名：RN1102ACT(TPL3)CT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  
  型号：RN2118(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN2118(T5LFT)CT-ND
  别名：RN2118(T5LFT)CT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN4902FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN4902FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN4902FE(TE85LF)CT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN2902,LF
  仓库库存编号：RN2902LFCT-ND
  别名：RN2902LFCT
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Microsemi Corporation
  TRANS 2NPN 60V 500MA TO78
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 600mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：JANTXV2N2060
  仓库库存编号：1086-20656-ND
  别名：1086-20656
  1086-20656-MIL
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  
  型号：RN2402S,LF(D
  仓库库存编号：RN2402SLF(D-ND
  别名：RN2402SLF(D
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 60MHz 600mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：2N2060
  仓库库存编号：2N2060-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 60MHz 600mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：2N2060A
  仓库库存编号：2N2060A-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 60MHz 3W Through Hole TO-78-6
  
  型号：2N2060M
  仓库库存编号：2N2060M-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 50MHz 600mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：2N2223
  仓库库存编号：2N2223-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 50MHz 600mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：2N2223A
  仓库库存编号：2N2223A-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
  
  型号：PDTA143XE,135
  仓库库存编号：PDTA143XE,135-ND
  别名：934055281135
  PDTA143XE /T3
  PDTA143XE /T3-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
  
  型号：PDTA143XE,115
  仓库库存编号：PDTA143XE,115-ND
  别名：934055281115
  PDTA143XE T/R
  PDTA143XE T/R-ND
  
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTA143XK,115
  仓库库存编号：PDTA143XK,115-ND
  别名：934056975115
  PDTA143XK T/R
  PDTA143XK T/R-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
  
  型号：PDTC143XK,115
  仓库库存编号：PDTC143XK,115-ND
  别名：934056976115
  PDTC143XK T/R
  PDTC143XK T/R-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTA143XS,126
  仓库库存编号：PDTA143XS,126-ND
  别名：934057563126
  PDTA143XS AMO
  PDTA143XS AMO-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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• NXP USA Inc.
  TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PDTC143XS,126
  仓库库存编号：PDTC143XS,126-ND
  别名：934057573126
  PDTC143XS AMO
  PDTC143XS AMO-ND
  
  规格：不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 10mA，5V,
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