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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 75A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC56D170E6
  仓库库存编号：SIDC56D170E6-ND
  别名：SP000013059
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 25A 模具
  
  型号：IRD3CH11DB6
  仓库库存编号：IRD3CH11DB6-ND
  别名：SP001538788
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 75A 模具
  
  型号：IRD3CH42DB6
  仓库库存编号：IRD3CH42DB6-ND
  别名：SP001547488
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 100A 模具
  
  型号：IRD3CH53DB6
  仓库库存编号：IRD3CH53DB6-ND
  别名：SP001533446
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 5A 模具
  
  型号：IRD3CH5DB6
  仓库库存编号：IRD3CH5DB6-ND
  别名：SP001538760
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 150A 模具
  
  型号：IRD3CH82DB6
  仓库库存编号：IRD3CH82DB6-ND
  别名：SP001544394
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 10A 模具
  
  型号：IRD3CH9DB6
  仓库库存编号：IRD3CH9DB6-ND
  别名：SP001544374
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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