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• Powerex Inc.
  DIODE GEN PURP 600V 280A
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 280A (DC) Chassis Mount Module
  
  型号：QRF0640R30
  仓库库存编号：QRF0640R30-ND
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Powerex Inc.
  DIODE GEN PURP 1.2KV 140A
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 140A (DC) Chassis Mount Module
  
  型号：QRC1220R30
  仓库库存编号：QRC1220R30-ND
  别名：Q10612894
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Powerex Inc.
  DIODE GEN PURP 1.2KV 140A
  详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 140A (DC) Chassis Mount Module
  
  型号：QRD1220R30
  仓库库存编号：QRD1220R30-ND
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Powerex Inc.
  DIODE GEN PURP 1.2KV 140A
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 140A (DC) Chassis Mount Module
  
  型号：QRF1220R30
  仓库库存编号：QRF1220R30-ND
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Powerex Inc.
  DIODE GEN PURP 1.2KV 210A
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 210A (DC) Chassis Mount Module
  
  型号：QRC1230R30
  仓库库存编号：QRC1230R30-ND
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Powerex Inc.
  DIODE GEN PURP 1.2KV 210A
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 210A (DC) Chassis Mount Module
  
  型号：QRF1230R30
  仓库库存编号：QRF1230R30-ND
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Powerex Inc.
  DIODE MODULE 3.3KV 127A
  详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 3300V 127A Chassis Mount Module, Screw Terminals
  
  型号：QRD3310007
  仓库库存编号：QRD3310007-ND
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• ON Semiconductor
  DIODE SCHOTTKY 200V 40A D2PAK
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 20A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  
  型号：NTSB40200CTT4G
  仓库库存编号：NTSB40200CTT4G-ND
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 200V 3A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 200V 3A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH01(TE16L,Q)
  仓库库存编号：CLH01(TE16LQ)-ND
  别名：CLH01(TE16LQ)
  CLH01TE16LQ
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 200V 3A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 200V 3A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH01(TE16R,Q)
  仓库库存编号：CLH01(TE16RQ)-ND
  别名：CLH01(TE16RQ)
  CLH01TE16RQ
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 300V 3A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH02(TE16L,Q)
  仓库库存编号：CLH02(TE16LQ)-ND
  别名：CLH02(TE16LQ)
  CLH02TE16LQ
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 300V 3A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH02(TE16R,Q)
  仓库库存编号：CLH02(TE16RQ)-ND
  别名：CLH02(TE16RQ)
  CLH02TE16RQ
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 200V 5A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH05(T6L,NKOD,Q)
  仓库库存编号：CLH05(T6LNKODQ)-ND
  别名：CLH05(T6LNKODQ)
  CLH05T6LNKODQ
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 200V 5A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH05(TE16R,Q)
  仓库库存编号：CLH05(TE16RQ)-ND
  别名：CLH05(TE16RQ)
  CLH05TE16RQ
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 200V 5A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH05,LMBJQ(O
  仓库库存编号：CLH05LMBJQ(O-ND
  别名：CLH05LMBJQ(O
  CLH05LMBJQO
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 400V 5A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 400V 5A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH07(TE16L,NMB,Q)
  仓库库存编号：CLH07(TE16LNMBQ)-ND
  别名：CLH07(TE16LNMBQ)
  CLH07TE16LNMBQ
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE GEN PURP 400V 5A L-FLAT
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 400V 5A（DC） L-FLAT?（4x5.5）
  
  型号：CLH07(TE16R,Q)
  仓库库存编号：CLH07(TE16RQ)-ND
  别名：CLH07(TE16RQ)
  CLH07TE16RQ
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 3A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC02D60F6
  仓库库存编号：SIDC02D60F6-ND
  别名：SP000013788
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC03D60F6
  仓库库存编号：SIDC03D60F6-ND
  别名：SP000012905
  SP000272343
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 9A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC04D60F6
  仓库库存编号：SIDC04D60F6-ND
  别名：SP000013037
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 15A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC06D60F6
  仓库库存编号：SIDC06D60F6-ND
  别名：SP000012907
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 22.5A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC07D60AF6
  仓库库存编号：SIDC07D60AF6-ND
  别名：SP000013802
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 22.5A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC07D60F6
  仓库库存编号：SIDC07D60F6-ND
  别名：SP000012909
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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  DIODE GEN PURP 600V 45A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 45A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC14D60F6
  仓库库存编号：SIDC14D60F6-ND
  别名：SP000013899
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC42D170E6
  仓库库存编号：SIDC42D170E6-ND
  别名：SP000013058
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C,
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