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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 15A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC05D60C6
  仓库库存编号：SIDC05D60C6-ND
  别名：SP000015011
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC06D60AC6
  仓库库存编号：SIDC06D60AC6-ND
  别名：SP000015114
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC06D60C6
  仓库库存编号：SIDC06D60C6-ND
  别名：SP000015014
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 30A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC08D60C6
  仓库库存编号：SIDC08D60C6-ND
  别名：SP000015029
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 30A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC08D60C6Y
  仓库库存编号：SIDC08D60C6Y-ND
  别名：SP000212225
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 30A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC09D60F6
  仓库库存编号：SIDC09D60F6-ND
  别名：SP000013691
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC14D60C6
  仓库库存编号：SIDC14D60C6-ND
  别名：SP000015066
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 50A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC14D60C6Y
  仓库库存编号：SIDC14D60C6Y-ND
  别名：SP000095897
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 75A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC20D60C6
  仓库库存编号：SIDC20D60C6-ND
  别名：SP000015086
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 100A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 100A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC26D60C6
  仓库库存编号：SIDC26D60C6-ND
  别名：SP000015059
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 150A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC38D60C6
  仓库库存编号：SIDC38D60C6-ND
  别名：SP000015060
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 600V 200A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 200A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC50D60C6
  仓库库存编号：SIDC50D60C6-ND
  别名：SP000015058
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1700V 100A（DC） 带箔切割晶片
  
  型号：SIDC73D170E6
  仓库库存编号：SIDC73D170E6-ND
  别名：SP000013927
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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• Infineon Technologies
  DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 200A 模具
  
  型号：IRD3CH101DB6
  仓库库存编号：IRD3CH101DB6-ND
  别名：SP001535420
  
  规格：工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C,
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