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TDK Corporation
FIXED IND
详细描述：屏蔽 多层 电感器 600 毫欧 0805（2012 公制）
型号：
MLF2012E5R6MT
仓库库存编号：
MLF2012E5R6MT-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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TDK Corporation
FIXED IND
详细描述：屏蔽 多层 电感器 650 毫欧最大 0805（2012 公制）
型号：
MLF2012E6R8MT
仓库库存编号：
MLF2012E6R8MT-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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TDK Corporation
FIXED IND
详细描述：屏蔽 多层 电感器 700 毫欧 0805（2012 公制）
型号：
MLF2012E8R2MT
仓库库存编号：
MLF2012E8R2MT-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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TDK Corporation
FIXED IND
详细描述：屏蔽 多层 电感器 2.4 欧姆最大 0805（2012 公制）
型号：
MLF2012K390MT
仓库库存编号：
MLF2012K390MT-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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TDK Corporation
FIXED IND
详细描述：屏蔽 多层 电感器 2.7 欧姆 0805（2012 公制）
型号：
MLF2012K470MT
仓库库存编号：
MLF2012K470MT-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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TDK Corporation
FIXED IND
详细描述：屏蔽 多层 电感器 1.8 欧姆 0805（2012 公制）
型号：
MLF2012K560MT
仓库库存编号：
MLF2012K560MT-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.33UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKL1HR33KDDANATA
仓库库存编号：
UKL1HR33KDDANATA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.33UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKL1HR33KDDANATD
仓库库存编号：
UKL1HR33KDDANATD-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.47UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKL1HR47KDDANATA
仓库库存编号：
UKL1HR47KDDANATA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.47UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKL1HR47KDDANATD
仓库库存编号：
UKL1HR47KDDANATD-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
型号：
UMA10NTR
仓库库存编号：
UMA10NTR-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
型号：
UMA11NTR
仓库库存编号：
UMA11NTR-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
型号：
UMA7NTR
仓库库存编号：
UMA7NTR-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount UMT6
型号：
UMB1NTN
仓库库存编号：
UMB1NTN-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号：
UMB8NTR
仓库库存编号：
UMB8NTR-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount UMT6
型号：
UMF23NTR
仓库库存编号：
UMF23NTR-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PNP 45V 0.2A SST3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 200mA 180MHz 350mW Surface Mount SST3
型号：
BCX71HT216
仓库库存编号：
BCX71HT216-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE ZENER ARRAY 6.8V VMND2
详细描述：Zener Diode Array 1 Pair Common Cathode 100mW ±2%
型号：
VMNZ6.8CST2RA
仓库库存编号：
VMNZ6.8CST2RA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.22UF 20% 200V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UVK2DR22MED1TA
仓库库存编号：
UVK2DR22MED1TA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.33UF 20% 200V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UVK2DR33MED1TA
仓库库存编号：
UVK2DR33MED1TA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 1UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKW1H010MDD1TA
仓库库存编号：
UKW1H010MDD1TA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.1UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKW1H0R1MDD1TA
仓库库存编号：
UKW1H0R1MDD1TA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.22UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKW1HR22MDD1TA
仓库库存编号：
UKW1HR22MDD1TA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.33UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKW1HR33MDD1TA
仓库库存编号：
UKW1HR33MDD1TA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 0.47UF 20% 50V RADIAL
详细描述：铝电解电容器 径向，Can 85°C 时为 2000 小时
型号：
UKW1HR47MDD1TA
仓库库存编号：
UKW1HR47MDD1TA-ND
规格：零件状态 不可用于新设计,
无铅
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邮箱：
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Q Q：
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